2012CB619200-G高性能近红外InGaAs探测材料基础的研究及其航天应用验证.pdfVIP

  • 6
  • 0
  • 约2.69万字
  • 发布于安徽
  • 举报
  • 文档已下架,其它文档更精彩

2012CB619200-G高性能近红外InGaAs探测材料基础的研究及其航天应用验证.pdf

  项目名称: 高性能近红外 InGaAs 探测材料基础研 究及其航天应用验证 首席科学家: 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究 所 起止年限: 2012.1-2016.8 依托部门: 中国科学院 上海市科委       一、关键科学问题及研究内容 为满足我国航天应用对地遥感、天文观测和深空探测等领域极弱信号近红外 探测的需求,以获得极低暗电流和高量子效率的 III-V 族 InGaAs 近红外探测器 为牵引,以研究低缺陷密度和高光电转换效率的失配体系InGaAs 材料为主线, 对高 In 组分异质材料能带和载流子输运进行科学调控,揭示失配体系材料的界 面特性与缺陷形成、演化及作用机理,提出高In 组分异质探测材料新结构和微 光敏区参数表征新方法,建立多层异质材料微纳尺度物性与探测器关键性能参数 (量子效率、暗电流)的相关性。围绕超高灵敏

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档