S 波段宽带微波固态功率放大器设计.docVIP

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S波段宽带微波固态功率放大器的设计 摘要:功率放大器是发射机的件的设计成了微波发射系统的关键用ADS仿真软件对一款功率放大器进行仿真和电路设计,根据晶体管的小信号S参数和I-V,对功率管的输入、输阻抗匹配电路其偏置电路进行优化,使其性能达到设计要求2GHz~2.5 GHz输入功率为0dBm≤±1.5 dB。 关键词:宽带横向扩散金属氧化物半导体微波功率放大器 宽带功率放大器在雷、等系统中的应用越来越广泛,是微波发射系统的关键部件。随着通信技术的发展,对宽带功率放大器的研究,也越来越受重视。宽带功率放大器通常指频带在以上的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide SemiconductorLDMOS)FET)是一种性价比很高的器件,自上世纪80年代应用以来,一直在通信系统的固态功放中起着主导作用,近些年向着更高频率、高增益、大功率的方向发展。LDMOS FET基于成熟的Si工艺,采用价格低廉,高质量的Si材料,与以往的FET管和晶体管相比,具有更高的增益,更好的散热性能和优秀的热稳定性与GaN等宽禁带FET管相比,具有相当的功率增益和效率,价格只有其1/10。因此,LDMOS管具有最佳的性价比,适合大功率使用比GaAs、SiC、GaN等器件有着更低的成本,在微波频率低端(5GHz以下)具有非常大的优势1-7]。 本文的目标是运用高性价比的LDMOS FET,,设计出一款500M带宽的通用的S波段功率放大器,可用于雷达发射机、及软件无线电的驱动级或末级功率放大模块主要技术指标为:工作频率为2GHz~2.5 GHz;输入功率为0dBm;输出平均功Email: kwcheng@, 手机Email: wisezhwen@163.com,手机 率dBm;带内波动≤±1.5 dB;增益40dB。 1 宽带固态功放设计原理 文中设计的微波功放模块,前级采用的是异质结双极性(Heterojunction Bipolar TransistorHBT)单片集成元件放大器,驱动级和末级的是LDMOS FETs分立元件放大器。总体设计如图所示最后一级放大器侧重于保证输出功率的设计,而前级和驱动级放大电路则侧重于提升增益的设计,同时保证增益平坦度和输入输出驻波。 图1 功放模块总体设计 Fig.1 Overall design of power amplifier modules 本所选用的HBT管的MMG301NT1(InGaP)磷化铟镓异质结双极性晶体管(InGaP HBT。驱动级放大器选用MRF N沟道增强型LDMOS FETs,是一个C类、宽带、大信号的功率放大器。末级放大器选用MRFN沟道增强型LDMOS FETs管。 前级放大器在2.5GHz的频率点,有1dB的增益25dBm(输出功率1dB压缩点),输出功率每回退1dB,交调失真减小2dB,使MMG301NT1晶体管的输出功率为1dBm,回退dB。驱动级功放有1dB以上的增益和饱和输出功率,使MRF功率管的输出功率为0.5瓦(27dBm),回退约dB。末级功放则有1dB以上的增益和饱和输出功率,使MRF功率管的输出功率为瓦(dBm),回退约dB,可改善dB的线性度。使用功率管,一般需要留有20%的功率容量,通常是保持70%~80%饱和输出功率,以提高功率附加效率(PAE,Power-added efficiency),更好的电源利用率。 为了保证功放的稳定,每级增益不能太大,通常不要超过15dB,按照给定的指标,最后一级保证输出功率,确定后级的输出功率和增益之后,可以推出驱动级的输出功率,依次向前,根据驱动级的输出功率和增益可以推出前级的输出功率,在根据总的增益指标要求可以确定前级的增益,同时要综合考虑其他指标的要求件,根据频率和带宽选择电路结构在功率接近饱和时其特性呈现非线性,现用一组小信号S参数,器件的静态IV曲线,可以用小信号设计A类放大器使用器件的小信号S参数来仿真和优化输入匹配电路。使用器件的IV曲线确定负载线,以此作为输出匹配电路的目标。图为 图2 LDMOS FETs 静态I-V曲线 Fig.2 LDMOS FETs static I-V curve 功率放大器(PA)可以2~3dB,这在微波领域很可贵,然而随着功率增益的增加,将造成器件不稳定。本次设计采用源极接地,以实现高功率放大的效率。前级工作在A类工作状态,保证输出增益和线性度,输出功率仅为的1/4,远离非线性区,工作于线性区域;同样驱动级工作在AB类工作状态,输出功率也其饱和输出功率的1/,作为低噪声放大器,可以保证给末级功放输入的增益和线性度,远离非线性区,工作于线性区域;末级兼顾输出功率、效率、增益和线性度,使其

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