IGBT的设计与仿真(张斌)72740.pptVIP

共17页 IGBT的设计与仿真 学生:张斌 指导教师:韩雁教授 2009.1.14 主要内容 1.研究内容简介 2.设计指标 3.研究设计方案 4.工艺流程设计 5.主要工艺指标 6.器件仿真 7.主要器件指标仿真结果 8.结论及说明 1.研究内容简介 IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管，它是适应了功率半导体器件的发展而产生的,是一种新型的电力电子器件。 它具有输入阻抗高，通态压降低，速度快，热稳定性好，驱动电路简单，安全工作区宽，电流处理能力强等优点。 三重扩散晶体管的制作方法是指晶体管的集电区、基区、发射区皆由扩散方法获得，便称为三重扩散。现也指使用高温长时间扩散工艺获得结深很深的PN结的过程。 本课题从IGBT的工作原理出发，研究使用三重扩散技术进行高压IGBT生产的可行性,设计工艺流程，借助ISE-TCAD仿真工具进行IGBT器件结构和工艺研究。 2.设计指标 表1 参数设计值与测试条件 3.研究设计方案 本课题选用ISE-TCAD DIOS进行工艺仿真，选择合适可行的工艺方案，确定正面VDMOS结构的各项工艺参数。 把DIOS工艺仿真的器件结构及边界文件导入MDRAW，进行网格优化及器件背面结构的设计。利用解析掺杂分布来模拟背面的三重扩散结构，利用常数掺杂模拟背面注入，然后形成网格。 把MDRAW定义的网格导入DESSIS进行器件电学特性的仿真。提取电学特性曲线来判断是否达到所需的结构。 根据电学特性曲线，在DIOS和MDRAW中调整工艺参数和器件结构参数直到达到器件结构要求。 最后，考虑到器件多项电性指标之间的折衷关系，对整体仿真进行优化，使总体指标达到最优化。 4.工艺流程设计 5.主要工艺指标 表2 主要工艺步骤与工艺条件列表： 6.器件仿真 使用DIOS进行正面VDMOS结构模拟后，把器件结构导入MDRAW。 其中三重扩散的掺杂分布使用MDRAW中的解析掺杂Gaussian函数进行模拟。 使用高斯方程： 其中扩散长度： 根据北工大陆秀洪硕士论文的结果： （1）背面三重扩散的残留层厚度越薄、IGBT的功耗就越小； （2）表面掺杂浓度越低，IGBT的功耗就越小； （3）背扩散层的残留层厚度对于IGBT的功耗的影响比背扩散层的表面掺杂浓度要大的多。 选取背面残留层厚度为20um，表面浓度1E16。 使用高斯方程和扩散长度计算公式算得其扩散长度为：9.76um 背面注入使用常数掺杂模拟其结深为：0.4um，浓度为1E17。 7.主要器件指标仿真结果 使用DESSIS进行电性仿 真后，使用INSPECT查 看仿真后的电性曲线。 阈值电压：3.20V 正向击穿电压： 约1450V 工作电流计算 单个元胞的工作电流 约为2.5E-5 A 要达到工作电流10A，需 要40000个元胞的阵列， 也即200×200，这样元胞 阵列的面积为8mm*8mm。 导通电阻计算： 由于ISE-TCAD中的 DESSIS只能仿真单 个元胞，从单个元胞 的斜率可以算出， 其单个元胞的电阻为 40000Ω，则对于整 个元胞阵列来说，其 导通电阻约为1Ω。 8.结论及说明 从单个元胞的仿真来看，其结果基本符合当初的设计指标。 设计的元胞阵列面积为8 mm*8 mm，但若考虑边缘的设计，实际面积还要大一些。 thank you！ * 元胞结构 剖面结构 Vge＝6V，Vce＝10V Vge＝6V，Vce＝10V Vge＝0V Vce＝0.1V 测试条件 ≤3Ω 导通电阻 ≥10A 最大工作电流 ≥1200V 击穿电压 3V(2-6V) 阈值电压 设计指标 参数 N-衬底 三重扩散 研磨正面 光刻浓硼区 P阱推进 硼离子注入 光刻P阱区 浓硼注入 生长栅氧 生长多晶硅 P阱推进 光刻 N+区 BPSG回流 淀积BPSG N+区扩散 N＋区注入 光刻引线孔 蒸镀铝膜 反刻铝 铝合金 芯片测试 背面金属化 背面注入 研磨背面 5000A 800A 1.1um 2.2um 6.4um 94um 20um 0.4um 结深 2E19 N+源区 1E20 Poly 5E18 P+阱 1.5E14 N-基区 1E17 P+阳极 栅氧 5E16 　 P-阱 1E16 N+缓冲层 浓度 器件结构 900℃，20Min N+扩散