基于脉冲CO2激光锡等离子体光刻光源的极紫外辐射光谱特性研究.pdfVIP

第32卷，第7期 光谱学与光谱分析 20I2年7月 and SpectroscopySpectralAnalysis July。2012 基于脉冲CO：激光锡等离子体光刻光源的极紫外辐射光谱特性研究 吴涛1’2，王新兵¨，王少义1，陆培祥h2 1．华中科技大学光电子科学与工程学院，武汉光电国家实验室。湖北武汉480074 2．武汉工程大学理学院，溯北武汉430074 摘要研究了不同条件下脉冲放电C02激光烧蚀平板锡靶产生的等离子体极紫外辐射特性，设计并建立 了一套掠入射极紫外平焦场光栅光谱仪，结合x射线CcD探测了光源在6．5～16．8nm波段的时间积分辐 射光谱，得到了极紫外光谱随激光脉宽，入射脉冲能量及背景气压的变化规律。实验结果发现：入射激光脉 冲能量在30～600 rnJ变化时，极紫外辐射光谱的强度随辐照激光脉冲能馈的增加Ifli增加，但并不是线件关 系，具有饱和效应，且产生极紫外辐射的脉冲能鞋阈值约为30-川，当激光脉冲能量为425rnJ时具有最高的 转换效率，此时中心波长13．5]lEft处2％带宽内的转换效率约为1．2％。激光脉冲半高全宽在50-120118范 围内变化时，极紫外辐射光谱的峰值位置均位于13．5nm，光谱形状几乎没有什么变化，但是脉宽从120ns 变到52 ns后，由于激光功率密度的提高，极紫外辐射强度也随之增强了约1．6倍。极紫外光谱的强度随背 景气压的增大而迅速下降，当腔内空气气压为200Pa时，极紫外辐射光子几乎被伞部吸收，而当缓冲氦气 气压为7X104Pa时，仍能够探测到微弱的极紫外辐射信号，计算表明100Pa的空气对13。5nrn极紫外光的 吸收系数为3．0m-1，而100Pa的He气的吸收系数为0．96m一。。 关键词激光等离子体；极紫外辐射；c伤激光；缓冲气体 中图分类号：0536。0434文献标识码：A 也使用过各种不同元索的靶材，如Xe靶，Sn靶及Li靶 引言 等[13-t5]，同时也研究了不同的激光辐照条件对EUV辐射等 离子体光源的影响。如激光脉冲能量，聚焦光斑大小以及双 脉冲激光烧蚀同体表面而产生等离子体，在元素痕萤分 脉冲作用等[J““。近年来，由于其高转换效率和低碎屑特 析【1‘、薄膜制备【“、原子辐射光谱学[3]、高能离子产生[．]、性，利用c02激光与sn靶相可=作用产生高离化态离子的高 nnl的EUV辐射， 等离子体辐射增强n]等诸多方面有广泛的用途。随着光刻技 温等离子体，迸一步产生中心波长在13．5 术的进步，摩尔定律呼唤下一代光刻技术(NGL)的产生，激作为下一代最具竞争力的光刻机光源正逐渐为人们所莺 光等离子体极紫外(LPpEUV)光刻是突破22am节点的最 有前途的方法之一[6棚。由于波长13．5nln的EUV光在多层究，目前在国内还很少见，国际|：的研究时间也不长。 Mo／Si膜反射镜上能够获得高达70％的反射率，所以人们选 本文基于脉冲放电横向激励大气K(TEA)C02激光烧 定它作为下一代半导体光刻技术光源的波长[8j。但是13．5蚀平板Sn靶产生等离子体极紫外辐射光源，设计并建立了 删的LPP-lUV光刻光源有两大难题急需解决，即：光源的一套掠入射极紫外平焦场光栅光谱仪。结合X射线CCD探 功率在达到量产的要求的同时．要尽量减少等离子体碎屑对 测r光源在6．5～16．8neff波段的时间积分辐射光谱，研究 光学系统的损伤，提高系统的使用寿命p]。在过去的研究 了获得高极紫外光谱纯度和高转换嫂牢的激光等离子体条 中，为广获得商效清洁的极紫外光刻光源，使用过各种类型 件。得到了双Ⅳ谱的形状及强度随激光脉宽、入射脉冲能 的激光驱动源，如1．06肿的Nd；YAG激光，10