大直径硅片工艺技术及晶体完整性研究论文.pdfVIP

大直径硅片工艺技术及晶体完整性研究 、 屠海令 (北京有色金属研究总院，北京100088) ● - 摘要随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(o．5呻)发晨。对 大直径硅片质量的要求越来越高‘，提高晶体完整幔：．减少污染和采用缺陷工旌方珐 改善表面质量的研究更加深入。本文用速了举亚微米集成电路用大直径硅片工艺技 术、表面完整性和洁净程度韵研究热点和检测技术发展趋势。同时还介绍了硅及绝 、 ，；缘体上硅’(s0I)材料的缺陷工程研究。． 1引育