电子的设计可靠性工程3_常见电过应力与干扰分析.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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电子设计可靠性电子设计可靠性工程工程第3章常见电过应力及干扰分析主讲：庄奕琪本章目次 3.1 概论 3.4 闩锁 3.2 浪涌 3.4.1 闩锁的形成 3.2.1 概述 3.4.2 闩锁的抑制 3.2.2 数字IC开关浪涌 3.5 辐射 3.2.3 容性负载开关浪涌 3.5.1 辐射环境 3.2.4 感性负载开关浪涌 3.5.2 辐射失效 3.2.5 机械开关触点浪涌 3.5.3 抗辐射元器件选用 3.2.6 雷电产生的浪涌 3.5.4 辐射加固设计 3.2.7 其它 3.6 电磁干扰 3.3 静电 3.6.1 概述 3.3.1 概述 3.6.2 干扰来源 3.3.2 静电来源 3.6.3 干扰传播 3.3.3 静电放电 3.6.4 串扰 3.3.4 静电失效 3.7 相关标准 3.3.5 静电敏感性 3.3.6 静电防护 3.3.7 环境防护 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 2 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 1 3.1 概论影响元器件可靠应用的电过应力与电磁干扰按可恢复性电过应力（EOS，Electric Overstress ）：如浪涌、静电放电、雷击、核辐射等，给电路带来的是不可恢复的损伤电磁干扰（EMI ，Electromagnetic Interference ）：如电磁辐射、噪声、传导干扰、串扰等，会引起数字电路误触发、模拟电路信号畸变等，但在干扰消失后大多会恢复正常按来源固有干扰源：一是来自元器件自身物理量的随机波动，如热噪声、过剩噪声；二是来自电路其它部分的耦合，如串扰人为干扰源：如电机、开关、无线电发射装置引起的噪声，静电放电、核辐射引起的过电流等自然界干扰源：如雷电、太阳黑子活动、天体辐射引起的干扰浪涌雷电电磁干扰噪声 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 3 Copyr