微电子工艺课件Chapter 13(zhang).pptVIP

* 第十三章 光刻：13.4 气相成底膜处理 * 第十三章 光刻：13.4 气相成底膜处理 * 第十三章 光刻：13.4 气相成底膜处理 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后在显影溶液中的溶解度发生变化。 光刻胶的目的： 1、将掩模版图案转移到硅片顶层的光刻胶中 2、在后续工艺中，光刻胶起刻蚀或离子注入阻挡 层的作用 底膜不是光刻胶 * 光刻胶技术的改善 更好的图形清晰度 (分辩率). 更好的粘附性. 更好的均匀性（一致性）. 增加工艺的宽容度 (less sensitivity to process variations). * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 光刻胶的种类： 正性光刻胶 负性光刻胶 正负光刻胶对比： 正胶曝光区域可溶解，负胶相反 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 光刻胶的物理特性： 1、分辨率—区别硅片表面两个或更多邻近特征图 形的能力 2、对比度—光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的 陡度 3、敏感度—光刻胶产生一个良好图形所需一定波 长光的最小能量值 4、粘滞性—描述液体光刻胶的流动特性 5、粘附性—光刻胶粘附于衬底的强度 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 光刻胶的物理特性： 6、抗蚀性—保持粘附性，并在后续刻蚀工艺中保 护衬底表面 7、表面张力—液体中将表面分子拉向液体主体内 的分子间吸引力 8、存储和传送—保存期限和温度环境，传送时避 免沾污、挥发和暴露在大气中 9、沾污和颗粒—光刻胶纯度（可动离子沾污和颗 粒）--过滤 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 负胶交联步骤： 1、光刻胶树脂是悬浮在溶剂（可溶于显影剂溶液） 中的聚异戊二烯橡胶聚合物 2、曝光使光敏感光剂释放出氮气 3、释放出的氮气产生自由基 4、自由基通过交联橡胶聚合物（不溶于显影液） 使光刻胶聚合 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 正性I线胶溶解于显影液的步骤： 1、树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物（线形 酚醛树脂） 2、感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶于显 影液）被加到线形酚醛树脂中 3、曝光过程中，DNQ（重氮萘醌）发生光化学 分解产生羧酸 4、羧酸提高光刻胶曝光区域的线形酚醛树脂的溶 解度（光刻胶在显影液中变得可溶解） * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 化学放大DUV光刻胶的曝光步骤： 1、具有保护团的酚醛树脂使之不溶解于显影液 2、光酸产生剂在曝光时产生酸 3、曝光区域产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘 过程中移除树脂保护团 4、不含保护团的光刻胶曝光区域溶解于以水为主 要成分的显影液 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.5 旋转涂胶 * 第十三章 光刻：13.6 软烘设备 软烘（前烘）目的： 1、光刻胶里面的溶剂去除 2、增强光刻胶的粘附性 3、缓和通过旋涂制备的光刻胶薄膜内的应力 4、防止光刻胶粘到设备上 * 第十三章 光刻：13.6 软烘设备 无软烘（前烘）后果： 1、光刻胶薄膜发黏易受颗粒沾污 2、内在应力将导致粘附性问题 3、溶剂含量过高导致后续显影时溶解差异，很难 区分曝光和非曝光区域 4、光刻胶散发的气体沾污光刻系统透镜 * 第十三章 光刻：13.6 软烘设备 * 第十三章 光刻：13.6 软烘设备 * 第十三章 光刻：13.7 光刻胶质量测量 1、光刻胶粘附性：光刻胶去湿（脱落） 原因：沾污、不充分的HMDS成底膜、亲水 2、光刻胶覆盖硅片的质量问题：针孔、溅落、光 刻胶起皮 原因：掩模版/硅片沾污、转速 3、光刻胶膜厚度：厚度应均匀，偏差应小于3nm 原因：转动加速度、转速、粘度、气流 * 第十三章 光刻：13.8 光刻胶检查及故障排除 * 第十三章 光刻：13.8 光刻胶检查及故障排除 * 第十三章 作业 P337：1，2，4，5，7，20，29，33，36，37，38，39 作图题：假如需要利用中等掺杂p型硅片制作一简