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NEA GaN 光电阴极表面模型研究 * 乔建良 ，牛军，杨智，常本康 （南京理工大学电子工程与光电技术学院，江苏 南京 210094） 摘 要：本文针对目前 NEA GaN 光电阴极研究中 Cs 激活或 Cs/O 激活后表面状态的形成过程还不清楚的 问题，围绕NEA GaN 光电阴极的光电发射机理，结合 GaN 光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的 最终效果，给出了 GaN 光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs+]: O2=—Cs++ 。利用该模型可很好地解 释单独用 Cs 激活时约-1.0 eV 的有效电子亲和势和 Cs/O 共同激活时-1.2 eV 的有效电子亲和势的成因，也较 好地解释了表面吸附原子的组合形式，即约 1:1 比率的 Cs 、O 是以 Cs2O2 的形式存在的。 关键词： NEA GaN光电阴极；表面模型；电子亲和势；偶极层；激活 中图分类号：TN219 文献标识码：A 文章编号: 0 引言