阴极荧光(CL)和电子束秀导感生电流(EBIC)在材料和半导体器件研究中的应用论文.pdfVIP

Ehctr 电fⅡ嗽学报，chm Ml…cSoc 镕d。1】9一1202010《 材料和半导体器件研究中的应用 曾雄辉’，黄俊，黄凯，邱永鑫．张锦平+，王建峰，徐科 中国科学院苏州纳米技术与M米仿生研究所，剥试平0电子显微镜实验宣，江苏苏¨215125 阴极荧光(Calhodoluminescence。CL，如图1示) beam induced 和电子柬诱导感生电流(Electron …nt．EBIC)是通常安装在场发射扫描电镜上的 两个附件。由于目前场发射扫描电镜的电子束斑尺 寸一般在1…2 ，而cL和EBIC正是利用场发射 电子枪发出的电子束作为激发源，其空间分辨率可 选到纳米量缎。 苏州纳米所电镜实验室的MonoCL3+阴极荧光 系统和5man EBIC系统自2008年底投人使用以 来，已经在材料和半导体器件领域获得了广泛的应 用。材料方面涉及III—v旗半导体材辩，无机闽烁晶 体，有机半导体材料，牛物材料等众多发光材料：半 导体器件方而涉及LED，solareelh。本报告的主要 内容就是要全面展示众多用户在我们电镜变验室利 用该设备的研究情况。 除此之外．本报告还将结台作者自身在发光材 ：d≥ic{一 料和器件领域多年的研究经验，以第三代半导体材 料GaN为研究对象，综合运用cL(常韫，液氰温度． 液氦温度)。EBIC，EDS等，井结合MonteCarlo理论 b 模拟．对GaN材料的光学性质、点缺陷、位错、杂质 等进行系统表征．向大家展示我们在该领域的最新 研究进展。 }l}oon 0l；；{#20；*E C ＆Ⅻac㈣fingvoIlagm 目I LED#件N忡ecaN层的cL圉慷自光谱。8：3 kv加《自ⅢT∞cLⅧSEM￡口目镕，*色日代cL 村庄，亮E代表SEM村度．b在{同加建自ⅡT的cL 370 谱．c nm±#目目T560Ⅲn秩略蟑§＆＆睾随舯 建电Ⅱ∞变化曲线。 chmElectrMie∞scsoc 自fa*学报J 119—120 mH 2010年 1．，。，一1．1Q。m．．三竺型 1 ‘。．一三童：” ’}竺!。：暑驾 ～’l■，1吖_ 一—十一……和卅孵■{■_ L