HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究41718.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 30 No. 3 June 2009 材料 、结构及工艺 HIT 太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究 曾祥斌 , 宋志成 , 宋佩珂 , 王慧娟 ( 华中科技大学 电子科学与技术系, 武汉 430074) 摘 　要 : 　对用于 H I T 太阳电池的单晶硅要求有 良好的界面特性 ,而且要求单晶硅衬底的厚 度比较薄 。采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底 。腐蚀时间为 40 min 时 , 能够得到表面反射率最低的界面 ,平均反射率为 10 . 9 % , 同时也具有规则的金字塔结构 ,且厚度满 μ 足制作 H I T 太阳电池的要求 ,在 250 m 左右 。还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片 ,具有 较高的腐蚀速率 。 关键词 : 　H I T ; 各向异性腐蚀 ; 绒面结构 中图分类号 : TM9 144 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2009) 03 - 0392 - 04 Monocrystall ine Sil icon Surface Etching Process f or HIT Solar Cells ZEN G Xiangbin , SON G Zhicheng , SON G Peike , WAN G Huij uan ( Department of Electronic Science and Technology , Huazhong University of Science and Technology , Wuhan 430074 , CHN) Abstract : 　The monocry st alline silicon for H I T solar cell s shoul d be goo d int erface f eat ure s and t hin sub st rat e . The monocry st alline silicon sub st rat e wit h t ext ured st r uct ure i s f abricat ed by ani sot ropic et ching for 40 min . The int erf ace wit h t he lowe st surf ace reflectivit y an d a regular p yramid st ruct ure i s obt ained , and t he average reflectivit y i s 10 . 9 %. Furt her more , it s t hickne ss μ i s about 250 m t hat fit s for H I T solar cell s. Al so inve stigat ed i s t he met ho d of i sot ropic et chin g for t hinnin g mo nocry st alline silicon sub st rat e . Key words : 　H I T ; ani sot rop y et chin g ; t ext ured st r uct ure 0 　引言 型的基础之上 。在实际研究中我们发现晶体硅的厚 度和表面特性对电池性能的影响如同薄膜质量一样 近年来 , H I T ( Het eroj unction wit h int rin sic 重要 。而这一点恰恰是