卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤.pdfVIP

第 33 卷 　第 6 期 稀 　有 　金 　属 2009年 12 月 Vol33　No6 CH IN ESE JOURNAL OF RARE M ETAL S D ec2009 卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子 对单晶硅的损伤 肖清华1 , 王敬欣2 ( 1. 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 , 北京 100088; 2. 北京有色金属研究总院科技信 息研究所 , 北京 100088) ( ) 摘要 : 主要研究锗离子在 77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果 , 并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱 RB S 和红 外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明, 冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著 , 反射率降低更为明显 , 意味着引入的损伤更 为严重 , 更容