微波等离子体化学气相沉积工艺对透明金刚石膜质量的影响.pdfVIP

维普资讯 第 28卷第 5期 硅 酸 盐 学 报 Vol28．No．5 2000年 10月 jOURNALOFTHE．CHINESE 旺 RAMICSOCIETY October，2000 ／，、 微波等离子体化学气相沉积T艺对透 明金刚石膜质量的影响 ffI ， ? 一 。㈣ _1，掰 、 ● 精 要：在 自制的2450MHz／5kW不错钢谐振腔型微渡等离子体化 0rtdc ／ flowratioof0．75％ by 学气相沉积装置中研究了基片预趾理和工艺参数对微波等离子件化 LleisdosetothatorⅡe衄tLLraldiamond ● 学气相沉积盘刚石膜质量的影响，研究了提高成校密度和沉积速率的 古祛，用SEM，XRD，FTIR，R㈣ n和 ．AFIV1分析 了盘刚石膜的质量 结 Key urtb：transparentdiamondfilm；microwavep／asnm；chemical 果表明：用纳米金剐石粉研磨单晶硅基片，在沉积气压60kPa，cH ／ vapordeFosidc~a；finglecrystal 】i∞nsub rate 的件积流量比为075％时，可沉积出红外透光率达 68％，表面粗糙 度为 1I410rm 的透明金剧石膜 ．其透光率接近Ⅱ．天然金刚石 ． 自20世纪80年代 ，日本无机材料研究所采用热 关麓词：蓬塑盒剧互熙 塑 勤釜壬坫；兰 担函豆；单晶硅基片 灯丝 CVD方法 (Ⅷ VI】)在 si等非金刚石衬底上沉 中圈分类号：TO17475+23；TN 30405 积出金刚石薄膜以来，CVD法制备金刚石膜得到飞速 文霄标识码 ：A 文章编号 ：0454 5648(2000)05—0445 05 发展，先后采用 了直流 电弧等离子 CVD(DC—Arc p],~smaCVD)、微 波等离子体 CVD(M~CVD)等 方 EFFECTS 0F MIICROWAVE PLAsMA CHEMK：^L 法 1l2．微波等离子体是在微波能量的作用下 ，沉积 q~tPOR DEPOSITION TEcHN0IDGY ON QUALrrY 气体被激发形成的一种等离子体 微波高频电磁场的 0FTRANSPARENT DU I( D 匝M 作用，促进了原子、原子基团和分子间的碰撞，使电子 激烈地振动，因此，提高了气体的电离度和等离子体 』m ．YuWeih~ ，Wangfianhua，YuanRundmng 的密度 因为没有电极 ，因而在 CVD过程中无电极溢 (StateKeyLabomtoayofAdv,mcedTeclmo!ogyfc~Materials