Ti-V合金氚化物时效过程中氦演化行为的XRD研究.pdfVIP

Ti-V合金氚化物时效过程中氦演化行为的XRD研魔 周晓松1彭述明龙兴贵 中国工程物理研究院核物理与化学研究所，四川绵阳，621900 摘要：氚衰变生成氦一3聚集会引起临氚和贮氚材料物理和化学性能的明显变化。因此，本 研究工作以Ti-V合金氚化物为研究对象，建立了氚化物薄膜的XRD分析方法，并运用XRD 研究了其晶格参数随氦含量变化的规律，探讨了合金化对氦演化行为的影响，结果表明在 Ti基体中加入合金元素V后，在贮存早期促进了晶体中的3He团聚、自间隙原子等的形成， 抑制了晶体中位错等无限尺寸缺陷的生成，提高了Ti基体在择优方向上保留间隙原子的能 力。 关键词：氦；氚化物；时效行为；XRD 引言 钛合金与氢同位素形成的金属氢化物在室温下能够稳定地高容量地贮存氢同位素，这个 特性使钛合金氚化物作为一种贮氚材料在科学研究以及军事上有着极其广泛的应用。 氚的半衰期为12．3a，氚衰变(T-÷3He+p1吖。．)产生的3He原子的不断积累将可能造成基 体的损伤，从而产生氚老化效趔11。在氚化物形成的初期，氦的释放系数很小‘21。随着贮存 期的增加，膜中积累的3He逐渐增多，当膜中3He浓度达到一定值时，3He的释放速度就达 到有时甚至超过生成速度，这种现象称之为“加速释放