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0.18um射頻金氧半導體的寬頻模型 0.18um RF MOSFETs Testkey for Wide-band Modeling IC 編號：T18-92C-17 指導教授：林佑昇 暨南大學電機研究所 電話：049-2912198 E-mail:stephenlin@ncnu.edu.tw 設計者： 陳科后 碩士班研究生 電話：049-2912198 E-mail:s1323526@ncnu.edu.tw 一、中文摘要(及關鍵字) 本計劃主要研究CMOS 0.18um的主動元件(MOSFET);利用量測得到的 S參數，和de-embeded的技巧，建立起包含基板效應的寬頻模型。 關鍵字: CMOS，基板，模型 計劃緣由與目的 許多重要的應用電路中，元件的特性在高頻和低頻時表現出來的行為有著明顯的不同; 因為在高頻時往往會有很多在低頻的時候不會出現的電感、電容等等寄生效應，它直接或間接的影響了元件的效能。在早期的研究中，大都是以SPICE的等效電路來作模擬高頻的特性，這模型雖然容易理解，但缺點就是過於簡單，僅適用於低頻下的操作。其後的小訊號模型雖然加入了pad的電阻、電感寄生效應，但幾乎都沒有考慮body effect的影響，這會造成高頻電路在模擬與分析上與實際量測結果有很大的誤差。雖然RF MOSFET模型中考慮基極效應會使得電路分析複雜很多，但是現在愈來愈多的研究在探討如何萃取出包含基極寄生電阻電容的模型參數。因此，發展出一個具有物理意義的高頻小訊號模型，對於設計線性電路(例如低雜訊放大器)有著相當大的幫助。 研究方法與成果 3.1模型建立原理與方法 在CMOS的製程中是以矽作為基板，故往往會造成元件在操作上多餘的損耗; 而在高頻時此效應更加的明顯。因此若要建立寬頻的CMOS模型，基板效應的考量是必要的。圖(一)為我們實驗室所提出的寬頻模型: 圖(一) 四端MOSFET 模型 虛線部份即新加入的基極網路， 其中: (加入MOSFET在高頻時的延遲效應，) 很明顯，這是一個四端的MOSFET。首先，考慮pad的效應; 即外部寄生電感（，，，）與寄生電阻（，，，）;再加上一次準靜態的模擬。Ri代表等效通道電阻; ，，，代表重疊電容; 而和則是等效成基極的並聯電容電阻。此模型的特點，即加入了較複雜的基極網路; 因為它在高頻時對元件特性的影響是不可忽略的! 在extrinsic參數的萃取上，則採用Z、Y參數轉換方式來得到一個初始值。由於pad寄生的電感、電阻等元件理論上不隨著頻率而變，且為了簡化計算，故我先忽略了基板的效應，僅採用三端的模型來計算[8]。簡化後的等效模型如下圖(二)所示;先分別計算出此等效模型的Y，Z參數，再配合上極低頻和極高頻的邊界條件，即可轉換出Extrinsic元件的值。  圖(二) 簡化後的模型 其中: 由於intrinsic元件值不易由公式推導，故我們先利用上列公式粗略估計出外部寄生元件的初始值，兼採curve-fitting的方式，來得到適用於高頻的MOSFET模型。 3.2佈局 此testkey佈局中共放了七顆不同finger數的MOSFET ，加上一個空的pad，以作校準之用。電路使用on wafer之測量方式,避免因為封裝而造成無法預測之寄生效應以致和模擬結果不吻合。 3測試 晶片將在NDL作 on-wafer probe 量測，量測使用高頻量測機台HP85122A : Network Analyzer (HP 8510C)，DC Source/Monitor(HP 4142B) , S-Parameter Test Set (HP 8514B)，以下圖分別顯示GSG探針量測結構與Design Rule。 四、結果與討論 模擬軟體使用Microwave office，主要是用來fitting量測回來的S參數，以驗證此寬頻模型的可靠性。量測元件為0.18 um 的nMOS，針對單一元件分別偏壓在0.6V, 0.9V, 1.2V, 1.5V, 1.8V和2.1V。量測範圍從1GHz到40GHz。第六部份為這次testkey量測和模擬的比較。 在實際fitting的過程中，發現外部寄生的效應，，，對參數的影響很大;故先經過公式計算後得到初始值，然後再代入模型中加以模擬。通常越往高頻走，S參數的偏差會越大，而且很難一次fitting所有S參數; 但是利用四端的模型，可以明顯的方便模擬，使得fitting頻率更高! 因此在模型中加入body的並聯電阻、電容效應是CMOS在高頻發展的必然趨勢。 此t