采用CCl_2F_2O_2高深宽比硅槽刻蚀.pdfVIP

　第 19 卷第 7 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 7　 V o l N o 　1998 年 7 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July 采用 2 2 2 的高深宽比硅槽的刻蚀 CCl F O 1 2 2 1 2 2 姚雅红 　赵永军 　吕　苗 　皮　舜 　李　江 　赵颜军