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哈尔滨工业大学 一九九九?年研究生考试试题考试科目：半导体物理学　　　　报考专业：微电子与固体电子学（半导体材料）一、????说明下列概念或名词的物理意义（２０分）１、????有效质量２、????载流子散时３、????状态密度４、????陷阱中心５、????光电导６、????空穴７、????直接复合与间接复合８、????少子寿命９、????热载流子１０、受主杂质与施主杂质二、????简述１、????用能带论定性地说明导体，半导体和绝缘体的导电性（１０分）２、????什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法（１０分）３、????耿氏振荡的机理（２０）三、????已知在ＭＯＳ电容的ＳiO2层中存在着Ｎa正离子和介面固定电荷，请设计一种实验方法测定两种电荷的面密度（库仑／厘米）　（２０分）四、???? ; ΔP(W)= P2 。问： 1．片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？ （4分） 2．试确定片内非平衡载流子的分布？（16分） 解释下列名词或概念：（20分） 1、准费米能级 6、布里渊区 2、小注入条件 7、本征半导体 3、简并半导体 8、欧姆接触 4、表面势 9、平带电压 5、表面反型层 10、表面复合速度 分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20分） 简述