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实验七 伏安法测电阻 [目的] 1、了解电表的接入误差 2、学会用伏安法测量电阻 3、测定晶体二极管的伏安特性 [仪器和用具] 伏特计、毫安计、滑线变阻器、直流电源、MF-10型万用电表、待测电阻、二极管、开关和导线等 [原理] 用伏安法测量电阻是电学的基本测量之一，它根据的原理是欧姆定律： (2-1) 式中U是电阻R两端的电压，I是经过R的电流，若用电压表测得R两端的电压U，同时用电流表测得流过该电阻R的电流I，则可由式（2-1）求得电阻R。这种测量方法称为伏安法，伏安法原理简单、测量方便；但由于电表的接入，要影响测量结果，也就是要产生接入误差，这是我们应该考虑的问题。 用伏安法测量电阻有两种接线方法： 图2-1（a）安培计内接法电路图 图2-1（b）安培计外接法电路图 1、安培计内接法：如图2-1（a）所示，伏特计跨接在安培计及待测电阻RX两端，此时安培计的读数I为流过RX电流IR，而伏特计的读数U不是RX两端的电压UX而是RX和RA（安培计内阻）两端的电压，即U=UR+UA，由此可得： (2-2) 可见，如直接应用式（2-1）来计算待测电阻RX，要产生正的系统误差，即结果要偏大一个RA的数值，只有当RXRA时，才可直接应用式（2-1）而忽略系统误差。 2、安培计外接法：如图2-1（b）所示，伏特计只跨接在电阻RX两端，此时伏特计的读数U等于RX两端的电压，而安培计的读数I不等于流过RX的电流IR，而是流过RX和流过伏特计两个电流之和，即I=IR+IV，由此可得： (2-3) 式中RV为伏特计内阻，由上式可见，如直接应用式（2-1）来计算RX，要产生负的系统误差即结果要比RX的实际值偏小，只有当IRIV，即RRX时，才可以直接应用式（2-1）而忽略系统误差。 用伏安法测电阻时，由于电表的接入误差，测得的电阻值总是偏大或偏小，即存在一定的系统误差。究竟采用哪种接法误差较小呢？下面讨论一下这个问题。 由图2-1（a），我们看到电压表测量到的是RX和电流表两者端电压之和，实际上RX上的压降为 如果以伏特计的读数U作为UR，带来的系统误差为： 由图2-1（b），我们看到安培计指示的是流过电阻RX和伏特计两个支路电流之和，而实际上流过电阻的电流为： 如果把安培计读数I作为IR，带来的误差误差为： 由此可见，如果直接用（2-1）式来计算RX时， 当即RX2RVRA时，采用内接法优于外接法， 当即RX2RVRA时，采用外接法优于内接法， 当即RX2=RVRA时，两种接法都一样。 因此，应用伏安法测量电阻时，必须考虑采用哪种线路才比较适当，如果要得到待测电阻的准确值，必须根据式（2-2）或式（2-3）进行修正。 如果对某个待测元件进行多次测量使电压U逐步增加，便可得到相应的多个不同的电流I，将各组U和I的数值记录下来，然后以U为横坐标，I为纵坐标，在直角坐标系上作图，就得到所测元件的伏安特性曲线。据欧姆定律电阻公式，这里的是个 常数，其伏安特性曲线是通过原点的一条直线，这种电阻谓之线性电阻；非线性电阻，它是个动态电阻，是个变量，伏安特性为一条曲线，则称该元件为非线性元件，如晶 图2-2 体二极管就是非线形性元件，它的阻值是随着所通过电流的大小而变小的。 晶体二极管是由N型和P型半导体材料组成，其符号如图2-2所示，如在二级管的“+”端接高电位，“-”端低电位，称为二极管的正接，反之，称为反接。当二极管正接时，随电压的增加电流也随之增加，当所加电压小于导通电压(锗管导通电压为左右，硅管导通电压为左右)时，电流增加得很缓慢；当电压增加到超过导通电压时，再稍加大电压，电流急剧增大，如图2-4第一象限曲线，谓之二极管的 正向特性曲线；当二极管反接时，电压即使增加，这时流过二极管的电流很微小，基本不 导通，即处于反向截止状态，这就是二极管的单向导电性，利用它作为整流装置，当反向电压增加到二极管的击穿电压时，流过 图2-3 二极管伏安特性曲线 二极管的电流突然猛增，如图2-4第三象限的曲线；谓之二极管的反向特性曲线。 ［实验步骤］ 一、线性元件的测量 1、按图2-4接线，图中R1和R2为两个滑线变阻器，将它们串联组成分压器，电阻较大者作粗调，电阻较小者伯为微调用。实验时，分压器输出应先为零。 2、测量。合上K1接通通线路，把K2合向1，为安培计内接法，合向2则为安培计外接法。测量时，调节分压器输出，使电表读数接近满度，伏特计选用0-1500mV量程，安培计则根据待测电流大小选择适当量程。