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30 2 电 子 显 微 学 报 Vol. 30 ，No. 2
第 卷第 期
20 11 4 20 11-04
年 月 Journal of Chinese Electron Microscopy Society
文章编号:1000 -628 1 (20 11)02 -009 1-06
Ga O Ga
氨化 2 3 和金属 粒混合镓源制备
高质量GaN 纳米线
* *
， ， ， ， ，
李 琰 王朋伟 孙杨慧 高靖云 赵 清 俞大鹏
( ， 10087 1)
北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室 北京
: (CVD) ， Ga O Ga
摘 要 在管式炉中用化学气相沉积 法在高温下用金做催化剂 首次通过氨化 2 3 和金属 粒组成的
GaN 。 SEM ，TEM ，XRD Raman ，PL
混合镓源制备出高质量的 纳米线 运用 以及 等表征手段分析了氮化镓纳米线的
、 。 、
形貌 结构以及发光性质 最后着重探讨了通过改变镓源的构成 氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长
， ， GaN ， GaN
条件 研究了其对氮化镓形貌的影响 藉以提高在管式炉中生长 的可控性及可重复性 为制备大量 纳米
线提供了依据。
: ; ; ;
关键词 化学气相沉积法 氮化镓 纳米线 生长条件
中图分类号:TN304 ;TB383 ;TG115. 2 1 + 5. 3 文献标识码:A
， 的可控性以及可重复性。
作为第三代半导体的代表 氮化镓是一种宽禁
， 、 、
带的直接带隙半导体 具有热导率高 热稳定性好
1 实验
、
击穿电压高 电子饱和漂移速度大和介电常数小等
， ，
特点 使得它在紫外光至短波蓝绿光发射器件 微波 首先将镀有5 nm 金薄膜的硅衬底放在酒精中
。
和大功率器件领域有很大的应用潜力 且随着微电 1 min ， ，
超声清洗 左右 然后用去离子水清洗 干燥后
子和光电子器件的集成化程度越来越高，元件也逐
放在陶瓷舟中备用。将约500 mg Ga O 粉末和 154
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