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维普资讯
低压电器 (2O08№9)
通用低压电器篇 ·研究与分析 ·
考虑触簧寄生参数的继电器
电弧传导发射研究
周 学， 徐 乐， 翟国富
(哈尔滨工业大学 军用电器研究所，黑龙江 哈尔滨 150001)
摘 要：提出了考虑触簧寄生电感 、触簧之间以及触簧与外壳之问寄生电容的触
簧组电磁兼容模型，在此基础上建立了电弧传导发射共模与差模仿真电路模型，给出了
周 学 (1982一)，
共模与差模干扰的传导路径。以一组银转换触点组为例，提取分布电感 、电容参数，仿
男，博士研究生，从
真了切断5A直流的阻性负载下电弧对外发射的共模与差模电压在0．01～10MHz的
事 电磁继电器 电磁
幅频谱，其差模干扰发射电平在某些频率点超出了国军标规定的发射限值 ，应用中需采
兼容技术及电弧仿
取抑制手段。
真技术的研究。
关键词：继电器触簧组；电磁干扰 ；传导发射；寄生参数
中图分类号：TM581 文献标识码：A 文章编号：1001-5531(2008)09-0008-05
StudyonConductedEM IofRelayArcin thePresenceof
ParasiticParametersofContactsandReeds
zHoUXue． XU ． zHAIGuofu
(MilitaryApparatusResearchInstitute，HarbinInstituteofTechnology，Harbinl5ooOl，China)
Abstract：AnEMC modelconsiderringtheparasiticparameterswhich includeparasiticinductionofsprings
andparasiticcapacitancebetweenspringsandshellwaspresented．Basedonthismodel，acircuitWaScreatedto
simulatethecommonmode(CM)anddifferentialmode(DM)conductedEMIofarcing．Theconductedpathsfor
theirEM1werealsoanalyzed．Afterextractingtheparasiticparametersofasilverreedassembly，theamplitudefre-
quencycharacteristicsoftheirconductedEMIbetween0．01and10MHzweresimulatedwhenthisspringsetWaS O—
peninga5A DCresistiveload．IthasbeenrevealedthattheDM conductedEMIlevelexceedstheemittinglimitsof
GJB151onsomefrequencies，whichmakesitnecessarytosuppressinapplications．
Keywords：relayree
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