MS RF CMOS 工艺兼容的光电探测器模拟与测试.pdfVIP

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光 电 子 ·激 光 第 17 卷 第 12 期  2006 年 12 月 Vol . 17 No . 12  Dec . 2006       J our n al o f Op t oelect r onics ·L aser         MS /RF CMOS 工艺兼容的光电探测器模拟与测试 1 1 2 1 雷晓荃 , 毛陆虹 , 陈弘达 , 黄家乐 ( 1. 天津大学电子信息工程学院 ,天津 300072 ; 2 . 中国科学院半导体研究所 ,集成光电子学国家重点实 验室 ,北京 100083) ( ) ( ) 摘要 :设计了一种新型的与 M S/ RF CMO S 工艺全兼容 、带深 n 阱 DN W 、浅沟槽隔离 STI 的双光电探 测器 ,分析了其工作机理 ,用器件模拟软件 A TL A S 对其暗电流 、响应电流 、光调制频率响应和波长响应 μ 进行了模拟 。采用 TSMC 0 . 18 m M S/ RF CMO S 工艺进行了流片 ,对芯片进行了暗电流和响应度的 测试 。模拟和测试结果均表明 ,该探测器与常规双光电探测器相 比 ,具有较低的暗电流和较高的响 应度 。 ( ) ( ) 关键词 :M S/ RF CMO S 工艺 ;深 n 阱 DN W ; 浅沟槽隔离 STI ; 器件模拟 中图分类号 : TN 366   文献标识码 :A   文章编号 :(2006) 1214 1305 Simulation and Measurement of MS/ RF CMOSCompatible Photodetectors L EI Xiaoquan1 , MA O L uho ng1 , C H EN Hon gda2 , HU AN G J iale1 ( 1. School of Elect ronic Information Engineering , Tianj in U niver sit y , Tianj in 300072 ,China ; 2 . St at e Key L aboratory on Int egrat ed Op toelect ronics ,In stit ut e of Semiconductor s ,Chinese Academy of Sciences ,Bei j ing 100083 ,China) ( ) Abstrac

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