双源法制备CuInSe2多晶薄膜研究.docVIP

双源法制备CuInSe2多晶薄膜的研究 周炳卿　李蓉萍　赵凤岐 摘　要： 利用氮气作保护气体，用元素合成法进行开管烧结，合成具有单一相黄铜矿结构的CuInSe2多晶材料.用真空双源蒸发方法，通过精确控制CuInSe2源和Cu源或Se源的温度和蒸发速率以及衬底温度，制备CuInSe2多晶薄膜，并对CuInSe2多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析、研究. 关键词： CuInSe2； 双源法； 多晶薄膜 中图分类号：O472　文献标识码：A　文章编号：1001-8735 1999 04-0277-05 STUDIES OF PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF CuInSe2 POLYCRYSTALLINE THIN FILMS BY THE DOUBLE-SOURCE METHOD ZHOU Bing-qing1, LI Rong-ping2, ZHAO Feng-qi3 　　 1.Department of Physics,Inner Mongolia Educational College； 2.Department of Physics,Inner Mongolia University； 3.Department of Physics,Inner Mongolia Normal University,Huhhot 010010