射频磁控溅射法制备纳米ZnO薄膜蓝光发射.docVIP

射频磁控溅射法制备纳米ZnO薄膜的蓝光发射 宋国利哈尔滨学院物理系，哈尔滨 150086， 100190 摘 要 利用射频磁控溅射方法，在石英表面上制备了具有良好的C轴取向的纳米ZnO薄膜。室温下，在300nm激发下，nm附近观测到ZnO薄膜的蓝光发射（430～460nm）、。探讨了气氛中氧气与氩气比对薄膜质量及发光的影响纳米ZnO薄膜光致发光（PL）的积分面积峰值强度与氧氩比关系分析了纳米ZnO薄膜的可见发射机制，证实了ZnO蓝光发射(2.88～2.69eV)来自氧空位(Vo)形成的浅施主能级上的电子至价带顶的跃迁。 词 纳米ZnO薄膜；蓝光发射；射频磁控溅射法 中图分类号：Ｏ484 文献标识码：A 引言 ZnO是一种宽直接带隙的Ⅱ-Ⅵ半导体材料，优异的晶格、光学、电学性能激子束缚能60meV，禁带宽度约为3.37eV，尤其是在紫外波段存在受激发射。这种紫外受激发射使得ZnO薄膜成为制备短波长激光、发光半导体重要的候选材料在紫外探测器、太阳能电池窗口、场致发射显示、LED、LD等领域有广泛的应用前景。自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外发射以来，ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点，受到国内外光学材料领域的广泛关注[1～]。目前，研究人员已采用了诸多先进的ZnO薄膜制备方法，主要有分子束外延 (MBE) [1～]、激光脉冲沉积(PLD) []、