退火工艺对射频磁控溅射Bi：YIG薄膜磁性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第 2期 材 料 研 究 学 报 Vb1．22 No．2 2008年 4月 CHINESE J0URNAL OFM ATERIALSRESEARCH April2008 退火工艺对射频磁控溅射Bi：YIG薄膜磁性能的影响 杨青慧 张怀武 刘颖力 文岐业 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 摘 要 对于用射频磁控溅射技术在 Si基片上制备的Bi：YIG系薄膜，用快速循环退火方法对其进行晶化处理，研究了退火温 度对Bi：YIG 薄膜结晶状态和形貌的影响，以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响．结果表明，用快速循环退火可以在 Si单 晶基片上得到磁性能优良的薄膜 饱和磁化强度 139kA／m，矫顽力6．37kA／m 并使薄膜形貌有较大改善，在石英基片上制 备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍． 关键词 无机非金属材料，快速循环退火，Bi：YIG薄膜，饱和磁化强度，矫顽力 分类号 TB321 文章编号 1005．3093 2008 02—0187-04 Theeffectofannealing tothemagneticpropertiesofBi：YIG film byRF magnetron sputteringon Sisubstrate YANGQinghui ZHANGHuaiwu” LIUYingli WENQiye Electronic 伽 Film andIntegrateelDevicesStateKeyLaboratory， UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu61O054 SupportedbyNationalNatureScienceb-hndsforrI entedProfessionalsNo．座机电话号码． M a~uscriptreceivedM arch12，2007；inrevisedofrm August24，2007． Towhom correspondenceshouldbeaddressed．Teh 028 座机电话号码．E-maihhwzhang@uestc．deu．ca ABSTRACT AmorphousBi：YIGfilmwasdepositedonSisubstratesbyradiofrequency RF1magnetron sputteringandcrystallizedbyrecurrentrapidthermalannealing RRTA method．Theeffectsofheating temperatureonthecrystallization．theSUrfaceconditionandmagneticpropertiesofthefilmswerestudied using X—raydiffraction．atom forcemicroscopeand vibratingsamplemagnetometer．andtheeffectsof atmosphereandtherecurrentperiodonthefilmswerealsoconcluded．Theresultsshow thatthef¨m with goodmagneticpropertieswhichsaturationmagnetization139kA／mandcoerciveforce6．37kA／mand goodsudaceconditionsareobtained byRRTA methodinsametime．andtheFaradayimgleonquartz substratetreatedbyRRTA methoddoublesofsamplestreatedbyco