多晶硅薄膜材料与器件的研究进展.pdfVIP

第 8卷第 3期 南阳师范学院学报 Vo l. 8 No3 2 0 0 9年 3月 Jou rnal of N anyang Norm al U n iversity M ar. 2009 多晶硅薄膜材料与器件研究进展 王红娟 ,张 　帅 (南阳师范学院 物理与电子工程学院 ,河南 南阳 473061) 　　摘 　要 :多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料 ,综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特 点、制备方法及研究进展. 关键词 :多晶硅薄膜 ;器件 ;化学气相沉积 ; 固相晶化 中图分类号 : O484. 1　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 1671 - 6 132 (2009) 03 - 0042 - 05 　　自 1964 年多晶硅薄膜开始在集成电路中被用 ③高温工艺 :采用冶金级硅 、陶瓷 、石墨等高温衬 ( ) ( 作隔离 , 以及 1966年出现第一只多晶硅 MO S场效 底 ,用液相外延法 1420 ℃ 或气相外延法 1100 ℃ ) μ 应晶体管以来 , 多晶硅薄膜的研究有了很大的进 ～1250 ℃ 高温沉积硅薄膜 , 晶粒可增大到 100 m 展. 由于多晶硅薄膜同时具有单晶硅材料高迁移率 以上. 及非晶硅材料可大面积 、低成本制备的优点 ,在一 目前 , 制备 多晶硅薄膜 的方法主要有 以下 些半导体器件和集成电路中得到了广泛应用. 例 几种 : ( ) 如 ,在 MO S集成电路中 ,重掺杂多晶硅薄膜常用作 1. 1　等离子增强化学气相沉积 PECVD 电容器的极板 、MO S 随机存储器 电荷存储元件的 化学 气 相 沉 积 经 常 使 用 的气 源 为 SiC l 、 4 极板 、浮栅器件中的浮栅 、电荷耦合器件中的电极 SiHC l 、SiH C l 、SiH ,将衬底加热到适当温度 ,在 3 2 2 4 等 ; 轻掺杂多晶硅薄膜常常用于集成 电路 中的 一定的保护气氛下进行一些化学反应如 : MO S随机存储器的负载电阻器及其他电阻器等. SiH →Si + 2H , SiC l + 2H →Si + 4HC l 4 2 4 2 多晶硅薄膜是由许多大小不等 、具有不同晶面 生成硅然后沉积在衬底表面 ,而这