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第 19 卷第 8 期 半 导 体 学 报 . 19, . 8
V o l N o
1998 年 8 月 . , 1998
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug
x 1- x 应变超晶格
Ge Si Si
P IN 探测器的研制
万建军 李国正 李 娜 许雪林 刘恩科
( 西安交通大学微电子工程系 西安 710049)
( )
摘要 本文对 应变超晶格 探测器进行了分析和设计 其中 = 0. 6 , 并制作
Ge Si Si P IN x
x 1- x
出了相应的器件. 对典型器件的测试结果表明, 在 13 光照下, 反偏电压为- 5 时, 光响应
m V
电流为2 6 , 暗电流为 400 , 探测灵敏度为 0 153 . 最大总量子效率为 142%.
A nA A W
PACC: 4282, 0670, 6155, 6865
1 引言
光纤通信主要有两个引人注意的波段, 即 08～ 09m 波段和 13～ 16m 波段. 在
08～ 09 波段, 硅( ) 雪崩光电探测器( ) 具有增益高、噪声低、响应快和价格低等优
m Si A PD
点, 目前尚无其它光电探测器能与之匹敌. 在 13～ 16m 波段, 以前大都采用锗(Ge) 雪崩
[ 1 ]
光电探测器, 但由于锗中空穴和电子的离化系数之比很小, 其过量噪声因子很大 , 因而这
类探测器工作时的过剩噪声很大. 如果一种探测器同时具有两者的优点, 既能探测 13～
16m 的光, 又没有太大的过剩噪声, 将是人们求之不得的. 由此人们自然会想到利用两者
的合金材料. 随着分子束外延( ) 技术的出现, 已经生长出了应变 异质结和
M BE Gex Si1- x Si
[ 2 ]
超晶格材料 , 研究表明, 随着 Ge 含量的不同, 可使 G
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