Cu-Fe 64 Ni 36 合金显微组织及热膨胀性能的研究.docVIP

Cu-Fe64Ni36合金显微组织及热膨胀 性能研究 刘兴军，何洲峰，施展，杨水源，王翠萍* （厦门大学材料学院，福建 厦门 361005） 摘要：基于Cu-Fe-Ni三元系的计算相图设计与制备了不同铜含量的Cu-Fe64Ni36三元合金．通过电子探针仪、光学显微镜和热机械分析仪研究了淬火温度 (1000、1100 ℃) 及时效温度 (600、700、800 ℃) 对合金的微观组织和热膨胀性能的影响．研究结果表明：Cux(Fe0.64Ni0.36)100-x (wt.%) 合金在1000 ℃保温24 h淬火并在600 ℃时效100 h后，其热膨胀系数明显减小．其中，Cu30(Fe0.64Ni0.36)70 (wt.%) 合金热膨胀系数为6.26×10-6 ℃-1，可以与电子封装中半导体材料的热膨胀系数相匹配． 关键词：Cu-Fe-Ni；相图；显微组织；热膨胀系数 中图分类号：TG 132.1 文献标志码：A 随着电子工业不断向高度集成化、小型化发展，对电子封装材料的性能要求也越来越高．不仅要求封装材料具有低的可调的热膨胀系数，以便与半导体材料Si、GaAs等的热膨胀系数 (约4~7×10-6 ℃-1)[1]相匹配，而且要求其具有良好的导热和导电性能，较高的机械强度和低的成本．金属材料通常具有良好的导热和导电能力，是常用的封装材料．但其热膨胀系数较大 (例如Cu: 17×10-6 ℃-1，Al: 23×10-6 ℃-1)[2]，与半导体材料的热膨胀系数不相匹配．这将直接导致半导体材料与封装基板结合面之间产生热应力，甚至产生裂纹而降低电子器件的使用寿命[1]． 近年来金属基电子封装材料成为国内外的热点研究领域之一[1, 3-4]．金属基封装材料是在金属基体中引入具有低热膨胀系数的增强相，因而具有较低的热膨胀性，并保持金属基体的高导热和导电能力．Fe64Ni36因瓦合金 (Invar)[5]呈Fcc单相组织，在其居里温度 (约230 ℃) 以下出现所谓反常热膨胀现象 (即因瓦效应)，使其在室温附近较宽的温度范围内具有很低的热膨胀系数 (α20~100 ℃≤1.5×10-6 ℃-1)．因瓦合金常作为金属基封装材料的低膨胀增强相，如在因瓦合金板上双面覆以纯铜轧制形成Cu/Invar/Cu复合板[6]；将铜粉与因瓦合金粉末混合后通过热挤压成型制得Cu-Invar复合材料[7]．这些材料兼具Cu的高导热和导电能力以及Invar合金的低膨胀特性，然而这些方法制备的Cu-Invar复合材料仍存在材料各向异性的缺点，使得其应用受到一定的限制．Stolk等[8]采用水热还原法合成Cu、Fe、Ni纳米粉末，再通过粉末冶金法制得Cu-Fe-Ni纳米晶合金，但是Fe、Ni与Cu在烧结过程中的互扩散对Cu-Fe-Ni纳米合金的导热及热膨胀性能造成不利影响． 相图计算 (CALPHAD)[9]方法作为多元合金设计的有效手段，广泛应用于新型材料的设计和开发[10-12]．本研究结合铜基合金相图的热力学数据库[13-14]，计算Cu-Fe-Ni三元系相图，并利用该体系中的Fcc两相分离进行合金成分设计．采用真空电弧熔炼法制备出由富Cu相与富因瓦 (铁镍) 相两相组成的各向同性的多晶Cu-Fe64Ni36合金，并研究不同热处理工艺条件对Cu-Fe64Ni36合金热膨胀性能的影响． 1 实验部分 1.1 合金设计 图1为利用CALPHAD方法计算得到的Cu-Fe-Ni三元系中Cu-Fe64Ni36合金的纵截面相图．从图1中可以看出，在600~1100 ℃温度范围内，Cu-Fe64Ni36合金体系中存在一较大的Fcc两相区，分别为Fcc富Cu相与Fcc富Fe64Ni36相，且随着温度的降低富因瓦 (铁镍) 相与富铜相的固溶度逐渐降低． 图1 计算的Cu-Fe-Ni三元系中Cu-Fe64Ni36合金的纵截面相图 Fig. 1 The calculated vertical section phase diagram of Cu-Fe-Ni ternary system between Fe64Ni36 and Cu 图2为利用CALPHAD方法计算得到的Cu-Fe-Ni三元系在600 ℃时的等温截面相图．从图2中可以看出，Cu-Fe-Ni三元系在600 ℃下存在一个较大的Fcc两相平衡区，该两相分别为Fcc富铜相与Fcc富因瓦 (铁镍) 相．图2中虚线为Cux(Fe0.64Ni0.36)100-x (x=0~100, x%和（100-x）%均表示质量分数，下同) 合金成分的连线，其中Cux(Fe0.64Ni0.36)100-x (x=30, 50, 70) 合金正好处在该Fcc两相区内，且近似位于同一共轭线上．该共轭线两端的相平衡成分分别为Cu97Ni3