GaN基场效应器件Monte Carlo模拟.pdfVIP

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2017-08-30 发布于河北
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GaN基场效应器件Monte Carlo模拟.pdf

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维普资讯第6卷第4期南通大学学报(自然科学版) V01．6 No．4 20o7年 l2月 JournalofNantongUniversity(NaturalScience) Dec．20o7 文章编号：1673—2340(2007)04—0027—40 GaN基场效应器件 MonteCarlo模拟周春红 (中国药科大学物理教研室，江苏南京 210008) 摘要：基于A1GaN／GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景．文章用自洽一耦合蒙特卡罗(MonteCado)方法对 A1GaN／GaN异质结构场效应晶体管作了模拟，给出了器件直流特性的MonteCarlo模拟结果．包括器件的粒子分布及器件的等势线分布，最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性．文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义．关键词：蒙特卡罗模拟：A1GaN／GaN异质结；高电子迁移率晶体管中图分类号：TN472+．4 文献标识码：A M onteCarloSimulatiOnfbrtheField-effectTransistorGrownonGaN ZHOU Chun-hong (DepartmentofPhysics，ChinaPharmaceuticalUniversity，Nanjing210008，China) Abstract：Thehighelectronmobilityrtansistor (HEMT)，basedonA1GaNG／aN heterostructure，hasawidenad prospective application in microwave devicesofhigh temperature na d high power．Self——consistentnad coupling Monte --Carlo modelisused to simulate the directcurrentpropertiesofA1GaN／GaN heterostructure fieldeffect rtna sistor．Thesimulationresults，includinghtedistributionsofparticlesnadhtepotential，arepresentedinhtispaper． Thesimulationresultsofhtesource-draincurrent-voltage (I—V)curveatdifferentgate voltagesraealsogivenhere． Th esimulation resultsbasedon Monte Carlo mehtod aleverysignificnattohteexperimentalresearchonhtefield— effcetrtna sistorgrownonGaN． Keywords：MonteCarlosimulation：A1CaNG／na heterostructure；high-elecrtonmobilityrtnasistor(HEMT) 0 引言 A1GaN／GaN异质结具有较大的导带不连续 (导带带阶可达 0．7eV)，注入效率高，界面处又有强烈的由于宽禁带半导体 GaN及相关化合物具有出