AlSb多晶薄膜制备及性质.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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AlSb多晶薄膜制备及性质.pdf

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第 16卷第 1期功能材料与器件学报 Vol16,No1 2010年 2 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES Feb. , 2010 文章编号 : 1007 - 4252 (20 10) 0 1 - 00 11 - 06 A lSb 多晶薄膜的制备及性质 1 1 1, 2 1 1 1 1 1 1 贺剑雄 ,武莉莉 ,夏庚培 ,郑家贵 ,冯良桓 ,雷智 ,李卫 ,张静全 ,黎兵 ( 1. 四川大学材料科学与工程学院 ,成都 6 10064; 2. 国家光伏产品质量监督检验中心 ,成都 6 10200) ( ) ( ) 摘要 :用磁控溅射法制备了 A l/ Sb 多层薄膜 ,通过 X 射线衍射 XRD 、X 射线荧光 XRF 、H all效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD 测试结果表明, 刚沉积的薄膜只有 Sb 的结晶相 ,而 A l则以非晶态形式存在 , 500 ℃退火后化合为 A lSb 多晶 ,且沿 ( ) 111 择优取向。H all效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明 ,所制备的 A lSb 多晶薄膜为 P 型材料 ,且载流子浓度为 1019 cm - 3 ,光能隙为 1. 64 eV , 电导率随温度的变化可分为两个过程 ,在 30 ℃到 110 ℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加 ,而在 110 ℃到 260 ℃间增加明显 ,升温电导激活能为 0. 11eV 和 0. 0 1eV ,这与 A lSb 多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的 A lSb 多晶薄膜应用于 TCO / CdS/A lSb / ZnTe: Cu /A u 结构的太阳电池器件中 , 已观察到明显的光伏效应 , 说明用这种方法制备的 A lSb 多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。关键词 : A lSb;薄膜 ;磁控溅射法 ;退火中图分类号 : TM 9 14. 4 + 2　　文献标识码 : A Prepara tion an d properties of A lSb polycry sta llin e f ilm s 1 1 1, 2 1 1 HE J ianxiong , WU L ili , X IA Gengp ei , ZHEN G J iagu i , FEN G L ianghuan , 1 1 1 1 L E