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第 19 卷第 6 期 半 导 体 学 报 . 19, . 6
V o l N o
1998 年 6 月 , 1998
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June
x 1- x 应变量子阱中激子
In Ga A s InP
跃迁能量随 In 组分的变化
1
王晓亮 孙殿照 孔梅影 侯 洵 曾一平
( 中国科学院半导体研究所 北京 100083)
( 1 中国科学院西安光学精密机械研究所 西安 710068)
摘要 本文研究了 应变多量子阱中激子跃迁能量随 组分的变化. 用国产
In Ga A s InP In
x 1- x
GSM BE 设备生长了五个样品, 这五个样品的阱宽均为 5nm , 垒宽均为 20nm , 唯一的不同之处
是阱层中的 In 组分不同, In 组分从 0 39 变化到 0 68. 用X 射线双晶衍射及计算机模拟确定
出了各样品阱层中实际 组分. 用光致发光谱( ) 、吸收谱( ) 、光伏谱( ) 确定出了样品
In PL A S PV
中的激子跃迁能量. 对量子阱中的激子跃迁能量随 In 组分的变化进行了理论计算. 结果表明:
对给定阱宽的量子阱, 随着 组分的增大, 量子阱中 11 和 11 激子跃迁能量减小. 11 与
In H L H
11 激子吸收峰间距随 组分的变化而变化, 对 5 的量子阱, 当 = 0 42 时, = 1 的重、轻
L In nm x n
空穴量子化能级简并. 当 0 42 时, 11 激子跃迁能量小于 11 激子跃迁能量; 当 = 0 42
x L H x
时, 11 激子跃迁能量与 11 激子跃迁能量相等; 当 0 42 时, 11 激子跃迁能量大于 11
L H x L H
激子跃迁能量. 实验结果与理论计算结果符合得很好.
: 6865, 7280 , 7855;
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