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Si/(Ni-Cr 合金)/Cu 扩散偶950℃时的界面反应1 王炜，李长荣，杜振民，郭翠萍 北京科技大学材料科学与工程学院，北京（100083 ） E-mail ：wangwei929@126.com 摘 要：在半导体硅片(Si) －扩散阻挡层(Ni-Cr 合金) －金属互连材料(Cu)构成的体系中，Si 和Ni-Cr 合金之间以及Ni-Cr 合金和Cu 之间各构成一对扩散偶。本文通过制备该体系扩散 偶试样，测得Si/Cr-Ni 界面反应生成相的表观序列为：Si/CrSi/αCr Si /δ/Cr Si/(Ni)/Cr Ni 。 5 3 3 0.7 0.3 生成的硅化物中未含有高阻相，其中 Cr Si、Cr Si 相具有密度低、熔点高、高温硬度高、 3 5 3 高温抗氧化和抗热腐蚀性能优异等特点；Cu/Cr-Ni 界面可通过原子之间的扩散达到两相平衡 关系，Cr-Ni 合金对Cu 原子向半导体Si 片的扩散起到了很好的阻挡效果。 关键词：Cu/Cr-Ni/Si；扩散偶；界面反应 中图分类号：TG111.5 1. 引言 随着集成电路集成度的提高，内连材料线宽尺寸不断降低，Al 作为内连材料其性能已 难以满足集成电路的要求。20 世纪 90 年代以来，Cu 由于具有低的电阻率和高的抗电迁移 [1] 与抗应力迁移能力，可作为 Al 的替代材料，得到了广泛研究 。 与 Al 相比，Cu 具有室温下电阻率低、抗电迁移和应力迁移特性好等优点。Cu 的电阻 率为　 µΩ·cm，仅为Al 的　 % ；Cu 在　　　℃条件下测得的电应力引起的离子漂移速度分 6 2 别为 Au 和 Al 的　和　　,Cu 发生电迁移的电流密度的上限为 5×10 A/cm ，而 Al 的上限 5 2 [2] 为 2×10 A/cm ；Cu 的应力特性也远远好于Al 。所以，无论从减少互连延迟的角度，还是 从互连可靠性的角度，Cu 互连的性能都超过 Al 互连。但是，Cu 互连也存在一些问题。首 先，是 Cu 污染问题。对于 Si 半导体，Cu 是间隙杂质，即使在很低的温度下也可以迅速地 在 Si 中扩散，从而影响器件的少数载流子寿命和结的漏电流，使器件的性能变坏，甚至失 效。其次，是当 Cu 淀积到硅片后经 200 ℃退火 300min 便会形成高阻的铜硅化物，而且 Cu 与 Si 层的粘附性较差。为了解决 Cu 污染和形成高阻铜硅化物及粘附性较差等问题，人们提 出了增加扩散阻挡层的解决方案。 好的阻挡层材料应该有高的熔点，因为扩散性与基质材料的熔点直接相关。大多数研究 集中在各种高熔点的纯金属(如Cr，Ti，Nb ，Mo ，Ta和W)和化合物(如TiN)作为Cu和Si之间 的扩散阻挡层[3] 。双金属淀积层是一种有效的扩散阻挡层，可适应日益广泛的浅结器件对薄 膜型欧姆接触的要求[4] 。这种扩散阻挡层是通过将贵金属A （一般为Pt ，Pd和Ni等）和难熔 金属B （一般为W ，V和Cr等）的合金淀积在硅衬底上，将沉积后的固溶体薄膜在一定的温 度退火，合金沉淀层便发生相分离，A与Si发生反应形成硅化物，难熔金属B仍留在薄膜的 表面层变成双层结构，对Cu与Si之间的扩散起到双层阻挡的效果。张丽娟、王芳[5]等人研制 的Cr-Ni薄膜电阻材料可靠高、高稳定性好，应用在具体电路中，可以得到满意的效果。 本文针对半导体硅片（Si ）−扩散阻挡层（Cr-Ni 合金）−金属互连材料（Cu ）构成的体 系，制备 S