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第34卷‘第2期 人 工 晶 体 学 报 v01．34N。．2
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本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的
制备及其特性研究
张晓丹，高艳涛，赵颖，朱锋，魏长春，孙 建，耿新华，熊绍珍
(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津30007l；
南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津30007l；
光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津300071)
摘要：本文对VHF．PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学
测试结果给出制备薄膜的激活能为0．51eV，符合电池对材料的电学参数要求；拉曼散射谱测试结果计算得到样品
效率为5％的微晶硅电池(^c=2lmA／cm2，yoc=0．46V，FF=51％，Area=0．253c一)。
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积；微晶硅；太阳电池
中图分类号：7Ⅸ514 文献标识码：A
Materialsand
Fabdcationof Silicon
Microcrystalline
SiliconSolarCeHsand onTI炝ir
Study Properties
Z日A^B藏∞一如n，以Dyon～foo，Z黝DM昭，朋U屁昭，聊铂彻g—c矗un，
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J沲n。GENGX讯．hun．xIoNG
ofN8llkai
ofPh010一electronicsninFilmDevicesaIld Unive瑙ity，Ti柚jin30007l，Chin8；
(Institute Technique
ofPhoto—electronics码inFilmDevicesaIld
KeyLab嘲tory TecIlIliqueof’11舭jin，711肌jin30007l，chim；
of Infb咖ation
Key‰tory0pto—electIDnic Science锄d‰h肿10盯(N舭kaiUnive瑁畸，TianjinUnivers蚵)，
of
MinistryEducation，Tianjin30007l，China)
(胁劫甜18Dc出口2004)
andstmctural siliconthinfilmandsolaurceⅡs
Abstract：Theelectrical propenies《microcrystauine
aIldactive 1000and
鼬ricatedVHF．PECVDwere 0．51eV
by studied．Phot
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