二元光学元件制作及误差分析.pdfVIP

维普资讯 第 13卷第 5期 光 电 子 技 术 与 信 息 2000年 l0月 二元光学元件 的制作及其误差分析 训 一1』1 李 思涛 叶嘉 雄 阮 玉 徐启 阳 郭 志霞 ， f华中科技大学光电子 罗 I 电子工程程 系系 武武汉汉 430074)) 。。 一 摘 要 详细舟 绍了二元光 学元件 制作 的光刻技术和 一些新 的制作工 艺，包括薄膜沉积 法、激光束或 电子束直接写入法和 准分子激光加工法 ．针对用于 CO2激光器模式优化 的二元 光 学反射镜 ，分析丁元件制作误差 ，包括掩模对 准谩差 、台阶刻蚀深度谩差和 台阶刻蚀宽度误 差 对谐振腔振翁模式 的影响． 关 键 词 二元光学 ．光刻 掩模 ．误 差 1 引 言 的二元光学反射镜 ，分析 了元件制作误差 ， 包括掩摸对准误差 、台阶刻蚀深度谡差和 台 二元光学元件的制作是建立在现代微 电 阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式 的影 响． 子工艺 的高技术基础之上 ，采用超大规模集 成 电路 (VLSI1制 造设备生成主板元 件 ，用 塑性复制技术进行元件 的批量生产 ．目前二 2 二元光学元件的制作技术 元光学元件的制作主要借用 了超大规模集成 2．1 光 刻法 【} 电路 中的光 刻工艺和离子刻蚀技术 刻蚀基 光刻法是 目前二元光学元件 的主要制作 片 以得到元件表面浮雕 图。近几年来 ，一些 技术 ，其工 艺流程一般包括 三个步骤t掩模 新的制作技术正处于研究和发展 中，如激光 设计及制作 ，图形 转印和基片刻蚀 ．对于多 束或 电子束直接写入法是直接将激光束或 电 位相等级 的二元光学元件 ，则需要多次重复 子柬对光刻胶曝光 ，并 由计算机通过控制曝 上述三步工艺过程 ，进行 掩摸 的套刻加工 ． 光光点的移动来获得抗蚀剂 的曝光 图形 ，从 图 1给 出了一个 四位相等级二元光学元件 的 而在抗蚀剂上到连续 的位相面或具有不 同厚 制作过程示意 图． 度等级 的离散位相 面；准分子激光加工法通 首先 基于光 的衍射理论 ，由计算机设计 过控制脉冲数 目来控制激光切割 的深度；薄 出一套用于光刻 的掩模 图形 ，并 由图形发生 膜沉积法则通过在基片表面上沉淀一定厚度 器生成一套二元振幅掩模 ．在光刻工艺 中， 的某种材料而得到 的浮雕位相 图 由于可采 二元光学元件 的位相等级数 Ⅳ 和所 需的掩 用膜厚控制技术 ，每一层 的沉积厚度误差要 模数 之 间存在如下关系 ： 比刻蚀深度误差小得多．本文详细介绍 了二 N = 2M 元光学元件制作 的光刻技术和一些新 的制作 工艺 ．最后 ，针对用于 CO2激光器模式优化 接着 ，在基片表 面均匀地涂上一层光刻 冒寡 自搏科 学基金资助项 目 收稿 日期； 2[}00-C~-24 24 维普资讯 第 l3卷