KLA—Tencor新近推出的Aleris 8500薄膜度量系统用于45nm及更小尺寸厚度与成份的测定.pdfVIP

维普资讯 企业与新品介绍 · 电 子 工 业 苣 用 设 备 ■ · 公司与新品介绍 KLA-Tencor新近推出的Aleris8500薄膜度量系统 用于45am 及更小尺寸厚度与成份的测定 KLA—Tencor公司新近推出了AlefisMT系列薄 Alefis8500系统 以该公司领先业界的SpecWaFx 膜度量系统，该系列从Alefis8500开始，是业界第 200技术为基础，主要采用下一代宽带光谱椭圆偏光 一 套将可用于生产的成份与多层薄膜厚度测定结 法(BroadbandSpectroscopicEllipsometry，BBSEMT)光 合在一起的系统。其它Alefis系列系统将在未来数 学元件 ，在精密度、匹配度及稳定性等方面匀有显著 月内以不同配置推 出，以满足 45nm节点及 以下尺 改善。此技术让芯片制造商能够检验和监测先进的 寸所有薄膜应用的性能与CoO要求。 薄膜，包括新型材料、结构与设计基底。该系统独特 Alefis将所有可用的先进关键薄膜度量应用集 的150nmBBSE可为成份测定提供更好的灵敏度， 中到单独一个平台上，从而帮助芯片制造商提高所 使Alefis8500成为业界第一款可用于产品晶片上的 有权成本，并加快了获得结果的速度。Aleris8500 关键 门控应用之生产监测的单一工具。Aleris的 可提供比现有分析方法高出3倍的产能，且其非真 StressMapperMT模块能够 以更高的产能提供更高的 空光学技术克服了传统分析工具的可靠性限制。这 空间分辨率，可用于高应力薄膜中2D)~J3的生产监测。 些完善的生产优势让 Alefis8500成为成份控制的 Alefis8500系统 已经运抵若干重要客户，正用 最佳 CoO解决方案 。 于 65am 门控生产及 45am、32nm开发。 KLA—Tencor推出达到45am 晶片几何度量要求的解决方案 KLA—Tencor公司 目前推 出了WaferSight2，这 确的新一代 45nm平面度测量功能将让晶片制造 是半导体行业中第 1个让晶片供应商和芯片制造 商和集成电路公司双双获益。 商能够 以45nm及更小尺寸所要求的高精度和工 纳米形貌控制 已成为 45nm节点的关键 ，因为 具匹配度，在单一系统中度量裸晶片平面度、形状、 它是化学机械研磨 (CMP)中缩小制程极限的根 卷边及纳米形貌的度量系统。凭借业界领先的平面 本，且会引起光刻中的微距量测 (CD)差异 。新型 度和纳米形貌测量精度，加之更高的工具到工具匹 WaferSight2具备业界领先的纳米形貌测量性能和 配度，WaferSight2让晶片供应商能够率先生产下 更高精度 ，并且是第一个 以单一非破坏性测量方式 一 代晶片，并让集成电路 (tc)制造商对未来晶片 进行前后两面纳米形貌测量的系统。 质量的控制能力更具信心。 WaferSight2将平面度和纳米形貌测量合并在 领先的光刻系统供应商的研究表 明，在 45am 一 个系统上，与多工具解决方案相比，可缩短周期时 工艺中，晶片平面度 的细微差异会消耗高达 50％ 间，减少在制品 (wie)的排队与移动时间，缩小所占 的关 键 光 刻 焦 深 预 算 。在 KLA—Tencor公 司 空间，并提高设施的使用效率 。WaferSight2还可与 WaferSightl系统 占据市场领先地位 的基础上， KLA—Tencor的数据管理系统FabVision?无缝结合， WaferSight2系统能够实现更严格的裸晶片平面度