Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及机理的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 2 3 - 2 双层薄膜对氨气 Fe O SnO 敏感特性及其机理研究 戴国瑞　何秀丽　王宗昌　南　金 ( 吉林大学电子工程系　长春　130023) 摘要　本文报道了以 ( ) 和 为源, 采用 技术淀积 双层薄膜, Fe CO SnC l PECVD Fe O SnO 5 4 2 3 2 将该薄膜淀积在陶瓷管上, 对氨气的敏感特性进行了测量, 并讨论了敏感机理. : 8115 , 7360, 8280 PACC H 1　引言 随着工农业生产的迅速发展, 半导体气体传感器发展日新月异. 对有毒、有害气体的检 测主要通过烧结工艺研制的以 SnO 2 为基体的可燃气体传感器, 由于工艺技术落后, 元件 的一致性不好, 相比之下, 薄膜气体传感器有其独特的优点, 元件的功耗低、响应快、一致 性好, 与微电子平面工艺相容, 有利于集成化、智能化传感器的发展, 因此, 薄膜气体传感 器将成为一种发展趋势. N H 3 是一种有害气体, 对人体的刺激性很大, 空气中含量超出 25 - 6 ×10 就会对人体产生危害, 例如, 在食品工业、合成氨工业、医疗诊断、环境保护等领域 [ 1 ] 中, 对氨气的检出已迫在眉睫. 目前, 有关N H 3 敏传感器的报道不多, 主要采用烧结型 、 ( ) [ 2, 3 ] [ 4 ] 场效应器件 M O SFET s 和导电高分子 等敏感元件. 本文首次报道了采用等离子体增 强化学气相淀积( ) 方法制备了 2 3 2 双层敏感薄膜, 测量 3 气的敏感特 PECVD Fe O SnO N H 性, 并对敏感机理进行了讨论. 2　实验 2. 1　薄膜的制备 本工作采用 方法淀积 2 3 SnO 2 敏感薄膜. 用常规的半导体工艺清洗 Si 片、 PEC