GSMBE生长掺杂Si及GeSiSi合金及电学性质的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 12 期　　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　 . 19, . 12　 V o l N o 　1998 年 12 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 生长掺杂 及 合金及 GSM BE Si GeSi Si 其电学性质研究 刘学锋　刘金平　李建平　李灵霄　孙殿照　孔梅影　林兰英 ( 中国科学院半导体研究所材料中心　北京　100083) 摘要　用气态源分子束外延法对 及 合金进行了 、 型掺杂研究, 结果表明, 杂质 Si GeSi Si N P 在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程, 所 16 19 - 3 17 获得的N 型及 P 型载流子浓度范围分别为 1. 5 ×10 ～ 4. 0 ×10 cm 及 1. 0 ×10 ～ 2. 0 × 1019cm - 3 , 基于对N 型 Si 外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系, 我们用 K laassen 模型对 实验结果进行拟合, 分析了不同散射机制, 特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响. 此外, 样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明, 、 型杂质浓度纵向分布较为均匀, 无明显的偏析 N P 现象. PACC: 6855 1　引言 外延制备 异质结器件材料的主要困难在于生长具有良好结晶完整的 GeSi Si HBT ( ) 合金与控制异质结的掺杂. 外延生长技术 如 和 等 的发展已使得生 GeSi M BE U HV CVD 长具有优良特性 GeSi 异质结合金及掺杂成为可能, 然而精确控制合金中的掺杂仍有必要作 进一步的研究与改善. 在M BE 中, 采用高温炉蒸发固态B 原子作为 P 型掺杂能够获得令人 [ 1 ] 满意的结果 ; 而用 Sb 作为N 型掺杂源, 外延层杂质分布却有较明显的表面偏析现象, 借 [ 2 ] 助于低能离子注入能改善 Sb 在外延层中的掺入行为 , 但离子注入后的退火有可能降低异 质结材料的质量. 在 中, 用气态砷烷或磷烷作为掺杂源能较好地控制表面偏析 U HV CVD 现象, 然而其复杂的生长动力学过程使得合金生长速度、组分及掺杂水平难于精确控制, 这 就使得用 生长一些结构较为复杂的材料如, 量子阱超晶格、应变合金组分梯度 U HV CVD 等不如M BE 系统易于控制. 气态源