LED用非极性GaN外延膜制备技术进展.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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《》：半导体光电年月第卷第期陈金菊等用非极性外延膜的制备技术进展２０１１８３２４ＬＥＤＧａＮ　  动态综述ＬＥＤ用非极性ＧａＮ外延膜的制备技术进展１２１，，陈金菊王步冉邓宏　（，；，）电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都西南电子设备研究所成都１．６１００５４２．６１００３６：。，摘要是实现白光的关键材料外延膜通常沿极性轴生长基于极性ＧａＮＬＥＤＧａＮｃ　　，ＧａＮ的ＬＥＤ有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低而沿非极性面生。长的ＧａＮ外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题文，，章总结了非极性ＧａＮ外延膜的制备技术及研究进展包括平面外延技术和横向外延过生长技术、指出开发非极性ＧａＮ自支撑衬底发展非极性ＧａＮ的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性ＧａＮ的研究方向。：；；；关键词ＬＥＤ非极性ＧａＮ横向外延过生长位错　中图分类号：文献标识码：文章编号：（）ＴＮ３８３．１Ａ１００１－５８６８２０１１０４－０４４９－０６　　ＰｒｏｒｅｓｓｉｎｔｈｅＥｉｔａｘｉａｌＧｒｏｗｔｈｏｆＮｏｎｏｌａｒＧａＮｆｏｒＬＥＤｓｇ　　　ｐ　　　ｐ　　　１２１，，ＣＨＥＮＪｉｎｕＷＡＮＧＢｕｒａｎＤＥＮＧＨｏｎ