采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路.pdfVIP

　第 19 卷第 9 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 9　 V o l N o 　1998 年 9 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Sep. , 1998　 采用混合模式晶体管(BM HM T) 构成 低温 B iCMO S 集成电路 李树荣　郭维廉　郑云光 (天津大学信息工程学院　天津　300072) 刘理天　　李志坚 (清华大学微电子学研究所　北京　100084) 摘要　本文介绍采用与 工艺完全相容的双极 混合模式晶体管( ) 构成 CM O S M O S BM HM T 新型的低温B iCM O S 集成电路. 理论分析表明该电路与CM O S 相比, 在电压摆幅相同, 静态功 耗相近的条件下, 具有更大的驱动能力, 尤其在较低的工作电压下, 其特点更加突出. 我们用统 一的标准和相同芯片面积设计了 39 级带负载的B iCM O S 和 CM O S 环形振荡器. 实验样品经 室温和低温平均门延迟时间测试, 表明在相同工作电压下 优于 . 若两种电路 B iCM O S CM O S 都采用 SO I 结构, 预计B iCM O S 可以获得更好的结果. : 2570, 2570 , 2560 EEACC D J 1　引言 八十年代以来CM O S 已成为发展VL S I 所采用的主要技术. 人们为了进一步提高集成 电路速度和减少功耗, 利用M O SFET 低温下沟道载流子迁移率增加导致速度提高等特 [ 1 ] 性 研制了液氮温度工作的 CM O S 集成电路即低温 CM O S 集成电路. 人们也注意到影响 VL S I 速度提高的另一个因素, 即随着集成度的提高, 电路中的引线加长负载增多, 而 M O SFET 比双极晶体管跨导小, 因此驱动能力差成为影响速度的重要因素, 所以人们试图 象发展室温B iCM O S 那样, 用双极晶体管和CM O S 结合构成低温B iCM O S 集成电路, 以进 [ 2, 3 ] 一步提高电路的速度, 克服传统B iCM O S 电路不适于在低温低电压工作等缺点 . 普通结 构的双极晶体管具有正的温度系数, 电流增益随温度下降而减少, 在液氮温度下已无法正 [ 4 ] 常工作. 为了解决这个问题我们先后试制了三区低掺杂浓度晶体管 、异质结晶体管和 BM HM T , 最后采用BM HM T 构成了低温B iCM O S 集成电路. 　 国家自然科学基金资助项目 李树荣　男, 1946 年出生, 副教授, 目前从事半导体物理与器件科研和教学工作 郭维廉　男, 1930 年出生, 教授, 目前从事半导体物理与器件科研和教学工作 郑云光　男,