退火温度对生长在TiO2缓冲层上ZnO薄膜影响.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ １０ 犞狅犾．２９ 犖狅．１０ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ １０ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋．２００８ 退火温度对生长在犜犻犗２缓冲层上的犣狀犗薄膜的影响 ， １ １ １ ２ 徐林华 李相银 史林兴 沈 华 　 　 　 　 （ 南京理工大学应用物理系，南京 ） １ ２１００９４ 　 （ 南京理工大学电光学院，南京 ） ２ ２１００９４ 　 摘要：采用电子束蒸发技术在 犜犻犗２ 缓冲层上沉积了犣狀犗薄膜，研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影 响 利用 射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质，利用荧光光谱仪研究了薄膜样品的光致发光性质 ． 犡 ． 分析结果表明，退火处理后的 薄膜都沿 轴择优生长 在 下退火的样品具有最强的（ ）衍射峰、最强的紫外发 犣狀犗 犮 ． ６００℃ ００２ 射和最弱的可见光发射，其晶粒大小均匀，紧密堆积 而对于在 和 下退火的样品，其可见光发射较强 这表明在 ． ５００ ７００℃ ． ６００℃下退火的样品具有最好的晶化质量． 关键词：犣狀犗薄膜；犜犻犗２ 缓冲层；晶化质量；光致发光 ： ； ； 犘犃犆犆 ６１１０ ６１５０犑 ６８５５ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犗４８４ 犃 ０２５３４１７７２００８１０１９９２０６ 　　　 　　　 ［ ］ １２ 犣狀犗薄膜中的氧原子 ，致使 犣狀犗薄膜中出现较多的 引言 空位等点缺陷，这些都影响了制