设计与深紫外光范围生长单晶ZnMgAlO薄膜晶格匹配氧化锌.docVIP

设计与深紫外光范围生长单晶ZnMgAlO薄膜的晶格匹配氧化锌Il-Soo Kim and Byung-Teak Lee* Photonic and Electronic Thin Film Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 300 Yong-bong dong, Gwangju 500-757, Republic of Korea Received April 6, 2010 摘要：第四纪ZnMgAlO薄膜晶格匹配的氧化锌片进行了设计，种植，并详细表征。它指出，半导体Zn1-x-yMgxAlyO薄膜晶格匹配的基板时，氧化锌成长/年2.8的比例，作为预计后Vegard的统治基础。阴极发光光谱显示，薄膜在4.13 eV的近带发射峰为Zn0.78Mg0.16Al0.06O/ZnO电影和3.71的Zn0.91Mg0.07Al0.02O/ZnO电影，这也是与结果相一致伏特计算的。据认为，ZnMgAlO电影，单结晶性质和光滑的表面（表面平均粗糙度约为0.9纳米），将是一个非常有前景的高品质材料系统的深紫外光光电子器件。光学器件的最新研究正在走向紫外线（UV）光机电致发光器件，具有许多重要的如节能照明，光的应用，高密度光记录来源，生物制剂检测和杀菌氧化锌（氧化锌）和三元半导体Zn1-xMgxO合金已被调查视力检定装置的潜在材料带隙（Eg）到4.05电子伏特已经证明，在约49mol％MgO到ZnO。然而，ZnMgO遭受其外问题，高达1.34％该Zn0.51Mg0.49O，其中结果株和/或位错的表现，并会恶化在光电事实上，类似的问题也存在于氮化案半导体，这是最深入的研究材料紫外线光电。在成长的氮化铝镓高AlN层GaN底层，拉伸应力积累和裂缝往往产生放松的压力，由于之间的此外晶格失配， AlGaNis特别敏感的位错，这是难以有效地制造氮化铝镓与波长紫外线设备低于360纳米（例如3.4电子伏特）。它有良好的一失配位错高密度存在于氮化铝镓/氮化镓层，它作为非辐射复合行为因此，必须发展新的材料体系，其晶格常数与氧化锌和匹配GaN材料上，并在同一时间，Eg在紫外线范围。它也必须获得单晶体薄膜制作的高性能紫外光光电设备。表明，紫外线材料可以通过同时制作锌合金MgO和Al2O3。这可以得到实现，氧化铝的晶格常数较大，但氧化镁是小于氧化锌的晶格常数。结构性能和排放的ZnMgAlO薄膜光谱进行了详细的特点，主要是利用X射线衍射（X射线衍射）和阴极发光（CL）的测量。试验ZnMgAlO薄膜衬底上生长氧化锌的商业使用射频磁控溅射系统。溅射室的是最初疏散到鈭6 Torr的，然后分庭压力维持在10 mTorr在溅射过程由流动在40 sccm的恒定速率的氧气。增长温度为600 C和射频功率为100瓦。增长率下降为镁，铝浓度的增加，从鈭米/分（氧化锌），以鈭米/分（Zn0.78Mg0.16Al0.06O）。电影前增长，目标是 10分钟，以消除可能表面污染。阴极发光（在- 100AP，岛津）光谱，获得在室温（RT）的使用有一个分光计波长范围为100-800纳米。飞利浦X0Pert专业MRD的高解析度4晶体三重轴X射线衍射仪（XRD）分析了以研究的结晶度和晶体取向所制备的ZnMgAlO层。日立的S - 4700场发射扫描电镜（FESEM），一个数字仪表多模原子力显微镜（AFM）和飞利浦FEITECNAIF20世界超声透射电子显微镜（TEM）也利用观察样品的微观结构。定量化学对薄膜进行分析，采用日本岛津电子探针- 1610电子探针系统。图1显示了一个原理图设计说明原则上半导体Zn1 - x -yMgxAlyO电影。变异乙二醇和晶格常数估计为一氧化锌的功能，氧化镁，氧化铝浓度，经Vegard的统治基础。根据规则，预计theZn1 - X yMgxAlyO电影将有一个晶格常数等于氧化锌基板当X / Y比值约为2.8（MgO/Al2O3≈5.6），为氧化锌有一个六角密堆积（hcp结构）结构与D（100） 0.325纳米，具有HCP的氧化铝晶格常数d（100）0.476nm，而面心立方（FCC）的氧化镁具有广告（110）0.298纳米。需要回顾的是面心立方结构的（110）面对应的HCP结构（100）面。该虚线在图1中的氧化锌，氧化镁，氧化铝三角指该氧化铝和氧化镁含量对应的晶格匹配的条件。 图1。示意图描述的设计半导体Zn1 - x – yMgxAlyO。 图2。在半导体Zn1 - x - yMgxAlyO薄膜表征结果各种X和组成 / Y比值为2.8（002）山峰的高分辨率X射线衍射谱和（b）化学发光光谱的ZnMgAlO。至于带隙能量，它是预测