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第 16卷第 4期 中国有色金属学报 2006年 4月
TheChineseJournalofNonferrousM etals Apr． 2006
Vo1．16NO．4
文章编号 ：1004—0609(2006)04—0688—06
射频磁控溅射沉积 ITO薄膜性能及导电机理①
李世涛，乔学亮，陈建国
(华 中科技大学 模具技术国家重点实验室，武汉 430074)
摘 要 ：将 ln。()3和SnO。粉末按质量比1；I热压烧结制成靶材 ，采用射频磁控溅射制备了高性能的 ITO薄
膜 。实验结果表 明：氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率 丁vn有着重要 的影响，其最佳值为 0．2Pa。ITO膜
的方阻、丁vn和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度 t。可以改善薄膜的性能，在 t。为 200℃时，ITO薄膜的
Tm达到9O 以上(含玻璃基体)，方阻为 13．1Q／口。根据薄膜生长 的3个阶段理论 ，建立了薄膜厚度与电阻率的关
系：在 ITO薄膜生长过程 中，依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及 Cottey模型导 电机理 。由实验结果求得 了
临界厚度 约为48~54nm，AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不 同的导电机理和尺寸效应 。
关键词 ：ITO薄膜；磁控溅射 ；氩气压强；基体温度；导电机理
中图分类号 ：TN304．0255；0484．4 文献标识码：A
Propertiesandconductivitymechanism ofITO films
preparedbyr．f．magnetronsputtering
LIShi—tao，QIAO Xue—liang，CHEN Jian-guo
(StateKeyLaboratoryofDieandMouldTechnology，
HuazhongUniversityofScienceandTechnology，W uhan430074，China)
Abstract：ThehighqualityITO thinfilmswerepreparedatdifferenttemperaturesbyr．f．magnetronsputtering
．
Theresultsshow thatArpartialpressure( (Ar))hasanimportantinfluenceontheconductanceandtransmission
invisiblerange(Tv,L)．TheoptimalP(Ar)is0．2Paascertainedbyexperiments．Thesheetresistance，丁ⅥLand
colorofITO filmsdependonthefilm thickness．Thefilm propertiescanbeimprovedbyelevatingsubstratetemper—
ature(t，)．ForinstancethefilmswithTv1Llargerthan90％ andsheetresistance13．1a／口 areobtainedwhent。is
200℃ ．Basedonthegro
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