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2000年2月 西安电子科技大学学报(自然科学簟) 硒．舢
第27眷第1期 JOURNAL凹】【ⅡⅡANU阿Ⅳ团签墨工Y vd．27No．1
硅基3C．SiC薄膜的外延生长技术
李跃进，杨银堂，贾护军，朱作云
(西安电子科技大学微电于所陕西西安71007])
的晶格先配，在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了襞冲层，确定了形成襞冲层的蕞佳条
件。用x-射线衍射、俄戢电子能谱、扫描电镜对薄膜的特性进行了分析。测量结果表明，13∞℃下在s
村底襞冲层上可以获得3G踟单晶。
美t词：碳化硅；缓冲层；化学气相淀积；外廷生长
中围分类号：1∞4．0立lI标识码：A 文章编号：1001-3400(∞叫01．000D拐
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Ablltract：ThefilmsofcubicSicare
heteroepitaxiallygrownbYatmospheric
pressure
chemical substrates．TOreducethe lattice
vapordeposition(APCVD)on(100)silarge
mismatchbetweencubicSiCand buffer ismadeby the
silicon，a layer carbonizing
surfaceoftheSisubstrateintheCVD conditionforthe
system．Anoptimum buffer
been
isdetermined．Thecharacteristicsofthe have measuredand
layer samples
analyzedby electron
X-raydiffracticm，Auger scanning
electron isshownthatthe ofcubicSiCare
microscopy(sIM)．It singlecrystals
a 300QC
obtainedat substratet∞peratureofI onSisubstratewiththebuffer
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