由二氧化硅图案选择性生长GaN薄膜斜侧壁方面InGaN发光二极管.docVIP

选择性生长GaN薄膜的二氧化硅斜侧壁InGaN发光二极管 Jinn-Kong Sheu,1,* Kuo-Hua Chang,1 Shang-Ju Tu,1 Ming-Lun Lee,1,2 Chih-Ciao Yang,1 Che-Kang Hsu,1 and Wei-Chih Lai1 1光电科学与工程学院,先进的光电技术中心和中心为微/纳米科学与技术,国家成功大学,70101,台湾台南市 2部门的光电工程、南台湾大学,台南,台湾 * jksheu@mail.ncku.edu.tw :在这项研究中,基于氮化镓发光二极管(led)和自然形成的斜壁 (OSFs)是通过选择性再生过程。二氧化硅层是在掺杂n模板层而不是蓝宝石衬底。因此,外围的几个OSFs LED在GaN。在处理、干蚀刻曝光了n gan底层层以形成欧姆接触的n型是不必要的。这可能是由于这样的事实,即n gan模板层与一个电子浓度约8×1018 /立方厘米被曝光后,去除二氧化硅掩模层。与注入电流20 mA,基于氮化镓发光二极管与OSFs表现出21%的增强在光输出与那些有垂直侧壁面。增强是光子提取OSFs可以减少内部吸收损失。?2010美国光学学会 OCIS代码:(230.3670)发光二极管;(230.0250)(230.5590)光电子学;量子阱设备。 引用和链接1．e . f·舒伯特,发光二极管,pp.150 - 1