详解MOSFET驱动技术及应用.pdfVIP

详解MOSFET 的驱动技术及应用 详解MOSFET 的驱动技术及应用 2011-01-14 15:32:34 文章来源：OFweek 电子工程网 /2011-01/ART-8300-2802html 导读: MOSFET 作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET 作为电压型驱动器件，其驱 动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。 关键字: MOSFET 驱动 应用 MOSFET 作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然 MOSFET 作为电压型驱动器件，其驱 动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET 的驱动技术， 以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。 首先，来做一个实验，把一个MOSFET 的G 悬空，然后在DS 上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师 都知道，MOS 会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS 怎么会导通？用下面的图，来 做个仿真： 去探测G 极的电压，发现电压波形如下： G 极的电压居然有4V 多，难怪MOSFET 会导通，这是因为MOSFET 的寄生参数在捣鬼。 这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS 肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机， 或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱 动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作， G 级的电荷无法被释放，就容易导致MOS 导通击穿。那么怎么解决呢？ 在GS 之间并一个电阻. 1 / 12 详解MOSFET 的驱动技术及应用 那么仿真的结果呢： 几乎为0V. 什么叫驱动能力，很多PWM 芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X 的驱动能力为1A，其含 义是什么呢？ 假如驱动是个理想脉冲源，那么其驱动能力就是无穷大，想提供多大电流就给多大。但实际中，驱动是有内阻的， 假设其内阻为10 欧姆，在10V 电压下，最多能提供的峰值电流就是1A，通常也认为其驱动能力为1A。 那什么叫驱动电阻呢，通常驱动器和MOS 的G 极之间，会串一个电阻，就如下图的R3。 驱动电阻的作用，如果你的驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和 MOS 结电容引起的震荡起阻尼作用。 但是通常，现在的PCB 走线都很紧凑，走线电感非常小。 第二个，重要作用就是调解驱动器的驱动能力，调节开关速度。当然只能降低驱动能力，而不能提高。 对上图进行仿真，R3 分别取1 欧姆，和100 欧姆。下图是MOS 的G 极的电压波形上升沿。 2 / 12 详解MOSFET 的驱动技术及应用 红色波形为R3=1 欧姆，绿色为R3=100 欧姆。可以看到，当R3 比较大时，驱动就有点力不从心了，特别在处 理米勒效应的时候，驱动电压上升很缓慢。 下图，是驱动的下降沿 同样标称7A 的mos，不同的厂家，不同的器件，参数是不一样的。所以没有什么公式可以去计算。 那么驱动的快慢对MOS 的开关有什么影响呢？下图是MOS 导通时候DS 的电压： 3 / 12 详解MOSFET 的驱动技术及应用 红色的是R3=1 欧姆，绿色的是R3=100 欧姆。可见R3 越大，MOS 的导通速度越慢。 下图是电流波形 红色的是R3=1 欧姆，绿色的是R3=100 欧姆。可见R3 越大，MOS 的导通速度越慢。 可以看到，驱动电阻增加可以降低MOS 开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度，对EMI 有好处。 下图是对两个不同驱动情况下，MOS 的DS 电压波形做付利叶分析得到 红色的是R3=1 欧姆，绿色的是