GdVO4:Eu^3+的激发光谱特性研究.pdfVIP

  1. 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
维普资讯 第 21卷 第4期 发 光 学 报 V0l1.21 No.4 2000年 l2月 CHINESEJOURNAL OFLUMINESCENCE Dec.,2000 GdVO4:EU3+的激发光谱特性研究 张庆礼,郭常新,施朝淑 (中国科学技术大学 物理系,安徽 合肥 230026) 摘要 :测量了GdVO4:Eu 在室温下的光致发光光谱;研究了不同掺杂方式和烧结气氛对多晶GdVO4:Eu3 发光性质的影响。探讨 了GdV04:Eu 的激发光谱在 200~350rim范围内激发带的来源和GdVO4:Eu3 中的 能量传递。在200--350rim范围内的激发带可解释为来 自于钒酸根团的配体 O到 V的电荷迁移跃迁吸收; 硝酸溶液使部分正GaVO4形成多钒酸盐,还原气氛使 GaVO4产生O空位和部分 V变价,影响了钒酸根团间 的电荷迁移跃迁吸收和钒酸根团间、钒酸根团与Eu3间的能量传递,产生激发谱带蓝移和激发带间强度 比例 变化。GaVO4中vol一的 轨道能使得v 一和稀土离子(Gd3、Eu )的电子波函数有效地重叠,从而 vo41一和稀土离子可通过交换作用有效地传递能量。GdVO4:EI.I3在200rim处的吸收很弱,在此位置也没有 Gd3或Eu3的4f 5d的吸收和明显的4f”高能级吸收,而激发却十分有效,可解释为由于存在vo41一与 Gd3或Eu3的4f高能级间有效的能量传递所致;由于 Gd3的特征发射恰好在基质的强激发带,且 Gd3 的 特征发射没有出现,可存在Gd3一v 一--~EuH 的能量传递。Gd3的 GJ、Pf能级间隔与Eu3 的 F1、 能 级间隔相近。处于 G,态的Gd3可通过共振能量传递激发Eu3到 态,这可导致 Gd3一Eu3离子的能量传 递。 关 键 词:GaVO4:Eu ;激发光谱;电荷迁移跃迁 ;能量传递 中圈分类号:0482.31 文献标识码:A 文章编号:1000.7032(20o0)04—0353.06 光激发下,从几 K温度到室温,发射主峰619nm 引 言 的强度随温度升高变化很小,而 300~600K范围 GaVO4:RE3 (RE 为稀土离子)的发光性 内则随着温度的升高发光增强,在 600K发光强 质在60年代已有报道[1--4]。GdVO4作为优异的 度约增加了一个量级仍未见饱和,其发光的温度 激光介质近来引起人们的极大兴趣,其中,GdVO4 特性明显优于YvO4:E1.13,所以,GaVO4:E1.13 掺Nd3、H03、Er3、Tm3 、y-b3 的二极管泵浦 可用于高温环境。另外,由于 GdVO4:Eu3 的发 微片激光器 已经被报道[5-7];GdVO4:Pr3 的发 光强度高,便于测量,是研究许多基础物理问题 光性质研究近期也有报道l88-。与YAG和YvO4 (如Eu3和Gd3间的能量传递)的良好材料。因 相比.作为二极管泵浦激光器,GdVO4具备以下 此,无论从实 际运用和理论上,研究 GaVO4: 基本优点[6·]:(1)具有大的受激发射截面;(2)在 Eu3的性质都具有重要意义。 泵浦波段有宽吸收带;(3)对泵浦波长和二极管温 从所见的关于GdVO4:Eu3 的文献看来,在 度控制依赖低;(4)41~激光发射阈值;(5)商热传导 200~350nm 间其激发光谱均为典型的三个激发 率。因此GaVO4及其掺杂稀土的发光性质备受 带结构 (见后)而无明显的变化。实验中发现,不 关注。GdVO4:E1.13是优 良的红光材料[1--4J,在 同的掺杂方式、灼烧气氛可使 GdVO4:E1.

文档评论(0)

nnh91 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档