Cu—Ni—Si合金的价电子结构分析.pdfVIP

第 31卷 第 1期 河 南 科 技 大 学 学 报 ：自然 科 学 版 VO1．3l No．1 2010年 2月 JournalofHenanUniversityofScienceandTechnology：NaturalScience Feb． 2O1O 文章编号 ：1672—6871(2010)01—0009一O3 Gu—Ni—Si合金的价 电子结构分析 任 伟h，贾淑果h，刘 平 ，田保红h (1．河南科技大学 a．材料科学与工程学院；b，河南省有色金属材料科学与加工技术重点实验室，河南 洛阳471003； 2．上海理工大学 电功能材料研究所 ，上海 200093) 摘要 ：基于固体与分子经验电子理论(EET)，对纯金属晶体 cu以及合金 固溶体 cu—Ni、cu—si和cu—Ni—si进行价 电子结构分析，建立相空间价 电子结构计算模型和方法 ，从相空间价电子结构角度探讨合金元素的合金化行为。 计算结果表明：cu处于第 l5杂阶，Ni处于第8杂阶，si处于第2杂阶，cu—Ni—si晶胞的最强键上共价电子数达到 了0．45722，这说明合金元素 Ni和 si的溶入，能够提高纯铜 晶胞的原子键引力，强化铜基体。 关键词 ：Cu—Ni-S,i合金 ：EET理论 ；价电子结构 ；合金元素 中图分类号 ：TG146．1；TG142．45 文献标识码 ：A U，、 —刖．‘—暑— Cu-Ni—Si合金因具有高强度和较高的导电性，已成为应用前景很好 的引线框架材料，而且还可以应 用于高速电气机车的架空导线 、触头材料等。日本在这一领域处于世界领先地位，而我 国在研发和生产 规模方面都与其相差很大。该合金为时效强化型合金 ，时效过程 中析出的Nisi相可以极大地提高合 金的强度和导电率…。目前对 cu—Ni-si合金的研究已经取得了很大的进展 I4。然而在价电子结构层 次上讨论合金元素的合金化行为尚未见报道。 由余瑞璜院士建立起的固体与分子经验电子理论 (EET) ，提供了一个处理价电子结构的计算方 法——键距差 (BLD)法，并成功地用于合金的原子成键与合金相变研究，使得对合金的宏观性能的研究 深化到合金原子的价电子结构层次 ，并为合金设计提供了深层次 的理论指导 一 。本文运用 EET理论 并结合平均晶胞模型 ，计算了CuNi．Si合金中的各种晶胞 的价电子结构 ，探讨合金元素 Ni和 Si对铜合 金固溶体相空间价电子结构的影响，进而从价电子结构的角度分析讨论合金元素的合金化行为，为今后 设计和开发性能更加优越的Cu．Ni．Si合金探索一条新途径。 1 计算模型 对于置换固溶体 ，合金元素溶入基体中后 ，基体中的纯元素晶体中的一部分原子将被溶质原子所取 代，而使溶质原子和原来的基体原子有机地 占据原来 由纯基体原子所 占据的位置。根据固体与分子经 验电子理论的平均晶胞模型 ，可以认为固溶体 由两类 晶胞组成 ：一类是含有合金元素的混合晶胞 ；另 一 类是理想的不含合金元素的纯基体晶胞。混和晶胞 的点阵常数大于纯基体的点阵常数 ，且在实际上 难以测量。在计算混和晶胞的价电子结构时，以纯基体晶胞 的点阵参数为基础 ，把合金元素引起的点阵 参数的变化用合金元素和基体原子的原子状态 的变化来反映 I9。在 cu．Ni．Si的过饱和固溶体 中，Cu 为面心立方晶体 ，其晶格常数为361．47pm，晶饱模型如图 1所示 。在 Cu．Ni．Si合金的过饱和固溶体 中，依能量最低原则 ，Ni(Si)原子置换 了面心上的 cu原子 ，其晶饱模型如图2、3所示。当Ni、Si原子同 时溶人 cu基体时，将分别置换面心上的cu原子，其晶饱模型如图4所示。 2 计算方法 从已知的晶体结构类型、品格常数以及原子坐标参数出发 ，利用原子的杂化双态参数 ，确定分子和 基金项 目：国家 “863”商技术研究发展计划项 目(2006AA03Z528)；河南省教育厅科技攻关项 目(2009A430007)；河南省高等学校青 年骨干教师资助计划；河南科技大学青年基金项 目(2008QN002) 作者简介 ：任 伟 (1982一)，男 ，河南信阳人，硕士生 收稿 日期 ：2009—09—11 ·