工艺公差对阵列波导光栅波分复用器性能影响.pdfVIP

第 27 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 5 2006 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2006 工艺公差对阵列波导光栅波分复用器性能的影响 1 ,2 1 , 1 1 1 1 秦政坤 　马春生 　李德禄 　张海明 　张大明 　刘式墉 ( 1 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室 , 长春 　1300 12) (2 吉林师范大学, 四平 　136000) ( ) 摘要 : 依据阵列波导光栅 A W G 的传输理论 , 分析了工艺公差对硅基聚合物 A W G 波分复用器性能的影响. 分析 结果表明, 工艺公差将引起 A W G 传输光谱的漂移 , 并使串扰增大. 为了实现 A W G 器件正常的解复用功能 , 我们 对 A W G 工艺公差的累积和补偿效应进行了讨论. 关键词 : 阵列波导光栅; 波分复用器; 工艺公差; 传输光谱; 串扰 EEACC : 1320 中图分类号 : TN 256 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 调节剂 ,通过对苯乙烯摩尔比的控制 , P FSc oGM A 1 　引言 的折射率在 1. 46 1～1. 555 区间内可调. 调节后的 P FSc oGM A 作为芯层材料 , 在波长 1550n m 附近 ( ) 阵列波导光栅 A W G 波分复用器具有波分复 其传输损耗小于 0 . 4 dB/ c m . 选择 国际电信联盟 用 、解复用 、路由、N ×N 互连等基本功能, 是光通信 ( I TU ) 推荐 的标准 中心波长为 λ = 1550 . 9 18n m 0 ( ) [ 1～5 ] ( ) [ 10 ] 密集波分复用 D W D M 网络中的关键器件 . 与 频率 193 . 3 T Hz , 芯层折射率为 n 1 = 1. 472 , 包 其他材料制作的 A W G 器件相比, 聚合物 A W G 器 Δ ( 层折射率为 n2 = 1. 46 1 ,相对折射率差为 = n 1 - 件具有成本低 、工艺简单 、折射率容易控制等优点. n2 ) / n 1 = 0 . 75 % . 近年