Ni／Au、Pd／Au与P—AlGaN材料的接触特性.pdfVIP

第 16卷第 1期 功能材料与器件学报 V01．16．No．1 2010年 2月 JOURNAL OF FUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Feb．，2010 文章编号 ：1007—4252(2010)01—0077—04 Ni／Au、Pd／Au与 P—A1GaN材料的接触特性 白云，麻芄，朱杰 ，刘键 ，刘新宇 (中国科学院微 电子研究所 ，北京 100029) 摘要：在A1GaNpin型 日盲紫外探测器结构中的P—A1GaN层上生长 了Ni／Au和Pd／Au，并在600— 850~C温度下进行快速热退火，测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发 现，Ni／Au与Pd／Au在P—A1GaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与P—A1GaN 材料接触之间在退火后电流的变化，还测量了P—A1GaN材料裸片两点之间，一V曲线在退火前后 的变化。实验表明，比起Ni／Au来，Pd／Au在 P—A1GaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势，并 在文 中进行 了分析。 关键词 ：P—A1GaN；高Al组分；欧姆接触 中图分类号 ：TN23 文献标识码 ：A Ni／AuandPd／Au contactstoP—·AIGaN BAIYun，MAPeng，ZHU Jie，LIUJian，LIUXin—Yu (InstituteofMicroelectronicsofChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) Abstract：ContactstoP—A1GaN layerusingNi／AuandPd／Auarereported．ThemetalsNi／AuandPd／ AudepositedonP—A1GaNlayer( =0．46)wereannealedfrom 600～850~C．Thedependenceofthe contactspropertiesonannealingtemperatureinN2isexaminedviaTLM measurements．Experimentsshow somedifferentcontactspropertiesbetweenNi／AuandPd／AuonP—A1GaN．The1一Vpropertiesofbare P—A1GaN aremeasuredtobetteranalyzethechangeinI—VcurvesofNi／AuandPd／Aucontacts．The resultsshow theeffectivenessofPd／Authan Ni／AutomaketheohmiccontactstoP—A1GaN． Keywords：P—A1GaN ；highM contents；ohmiccontacts 0 引言 应的波长范围为 200～365nm，覆盖 了地球上大气 AlGa， 臭氧层吸收光谱区(240～28013m)，因此被认为是 一 N三元系合金，随着Al组分由0～1的 制作太 阳盲区紫外探测器的理想材料之一。而 变化其带隙在3．4～6．2eV之 间连续变化 ，它具有 A1Ga N材料的欧姆接触在这些器件 的性能和稳 高的热导率、适中的介 电常数、强的化学稳定性等优 定性方面发挥了重要作用。制备pm‘型A1GaN 日盲 点，在紫外探测器、紫外发光二极管、紫外激光器、高 紫外探测器 的关键技术之一是 P型和 n型的高 Al 温高频大功率 电子器