非晶硅晶体硅HIT太阳电池研究.docVIP

非晶硅/晶体硅HIT太阳电池研究 摘 要：运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer) 异质结太阳电池的光伏特性。通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较，得出导带补偿小部分(0.18eV)，价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论。同时还证实，界面态是决定电池性能的关键因素，显著影响电池的开路电压（VOC）和填充因子（FF）。最后计算了这种电池理想情况下（无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1）的理论效率Eff=27% (AM1.5 100MW/cm2 0.40-1.10μm波段)。 关键词：a-Si:H/c-Si异质结，太阳电池，计算机模拟 1 前言 晶体硅太阳电池具有转换效率高，生产技术成熟的优点，一直以来占据太阳电池世界总产量的绝大部分[1]。但传统晶体硅太阳电池生产中的高温（9000C以上）扩散制结工艺又限制了生产效率的提高和产品成本的进一步降低。多年来各国科学家一直在努力研究探索低成本高产量的高效薄膜太阳电池制造技术[2]。氢化非晶硅（a-Si:H）太阳电池生产工艺温度较低（4000C以下），便于大规模生产，因此受到各国科学家的普遍重视并得到迅速发展[3]。但是，氢化非晶硅（a-Si:H）太阳电池的光致退化（Staebler-Wronski