半导体和氧化物表面石墨烯生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体与研究.pdf

摘要 摘 要 石墨烯是一种由碳原子紧密堆积构成的二维蜂窝状晶体结构，具有优异的电 学、力学和热学性能，其在纳电子器件、单分子器件、光电器件、储能等诸多方 面具有广泛的应用前景。目前，能满足器件工艺要求的性能优良、层数可控的大 面积石墨烯薄膜的制备仍然是阻碍其发展的瓶颈。已经发展的石墨烯制备方法很 多，如机械剥离、化学剥离、金属衬底外延等，尽管这些方法能制备质量较好的 石墨烯，但由其制备的石墨烯都需要转移到绝缘衬底（SiO2、蓝宝石等）上才能 进行电学特性的研究和器件的应用。而利用单晶SiC 高温退火制备的石墨烯不仅 其质量有待提高，而且尚有一些基本的物理问题需要解决。本论文不仅对单晶 SiC 高温退火制备石墨烯的生长过程进行了原位研究，而且探索了在Si 基衬底和 蓝宝石衬底上利用沉积固态碳原子的方法直接制备石墨烯薄膜，并利用同步辐射 及一些常规的表征方法对石墨烯的结构进行研究。 由于稀磁半导体是实现自旋电子学器件的重要材料，因此受到了人们的广泛 关注。SiC 基稀磁半导体不仅可以实现自旋电子学的特性，而且能发挥SiC 器件 的优势，将其工作极限大大提高。本文尝试利用MBE 共沉积的方法在Si 衬底上 制备Mn 掺杂的SiC 稀磁半导体薄膜，并对其结构和磁性进行了研究。主要的研 究工作及结果如下： 1. 6H-SiC(0001)单晶表面石墨烯的外延生长 1) 利用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合低能电子衍射(LEED)技术原位研 究了石墨烯在高温退火后的6H-SiC(0001)表面的形成过程。结果表明随着退火温 度的升高 6H-SiC(0001)表面会依次经过从(3 × 3) 重构到( 3 × 3) 重构最后到 (6 3 × 6 3 ) R30 重构的演变。在退火温度为 1150℃时，(6 3 × 6 3 ) R30 的重构 出现，但此时石墨烯已经开始形成。随着退火温度的继续升高，石墨烯的信号增 强，并形成了突出的金属性费米边，表明石墨烯的厚度随退火温度升高而增加， 且样品表面的金属性也在逐渐增强。此外，在整个退火过程中，石墨烯和SiC 衬 底之间都存在类似C-sp3 杂化的界面态，它可能是导致Si 端面SiC 外延的石墨烯 其电学特性受衬底影响较大的原因。 2) 在MBE 系统中对6H-SiC(0001)表面高温退火制备石墨烯，利用RHEED、 Raman、NEXAFS、AFM 等研究退火时间对石墨烯结构和形貌的影响。研究结 果表明，在不同的退火时间下都能形成石墨烯。由于石墨烯和SiC 衬底的热膨胀 系数的差异，使形成的石墨烯薄膜内存在压应力。但退火时间的增加会使外延的 I 摘要 石墨烯厚度增加，其受到衬底的影响会减小，薄膜受到的衬底的应力减弱，样品 表面孔洞减少、更加平整。与此同时，由石墨烯和衬底相互作用产生的 Raman 峰的蓝移也会减小，而石墨烯的特征X 射线吸收峰则会增强。 2. Si 基衬底上石墨烯薄膜的生长 1) 在 Si(111)表面不同的衬底温度（600、700、800℃）下直接沉积固态碳 原子制备石墨烯。利用 RHEED、FTIR、Raman 和NEXAFS 对制备的薄膜进行 了结构表征，发现在低温下制备的薄膜仅为无定形碳，只有在800℃条件下才能 制备出石墨稀；同时发现在800℃的样品中有SiC 层生成。我们认为衬底温度对 Si 衬底上的石墨稀形成起到了关键作用，同时SiC 缓冲层的形成可以阻止后来沉 积的碳原子与衬底Si 原子反应，对石墨稀的形成有促进作用。 2) 为了研究更高温度对Si 衬底上生长的石墨烯的影响，我们首先在Si(111) 衬底上外延生长一层质量较好的SiC 薄膜，然后在不同衬底温度（800、900、1000、 1100℃）下，用直接沉积碳原子的方法在 SiC/Si 表面制备石墨烯。结果发现在 上述衬底温度下均能制备出石墨烯，但在 1000℃时制备的石墨烯的质量最好， 过高的衬底温度会降低石墨烯的质量。并且发现所形成的石墨烯薄膜不具有 ABAB…堆垛的伯尔纳（AB Bernal stacking）石墨晶格构型，而具有类似C 端面 6H-SiC