D-E-F;D -2VDC;E-F-50Hz正弦波,交流幅度+-1V;E超过额定.pptVIP

输入： 信号A/D：D/E/F； D ：2VDC；E/F:50Hz正弦波，交流幅度+-1V；E超过额定值10%判断为过压，报警，切除操作； ZERO_V_PULSE（简称V）与 ZERO_A_PULSE（简称A)是50Hz左右的占空比50%左右的方波，相位不同；T是ZERO_A_PULSE相对于ZERO_V_PULSE的时间差（即相位差），以V脉冲下降沿触发计时，A下降沿停止计时，时间差为T，要求T的检测精度不低于100us； ZERO_V_PULSE的下降沿，检测F的瞬时值，延时5ms，再次检测F的瞬时值，考虑干扰问题，计算F-D； 延时拨码3P： OUT0=0，UNOUTO=0，UNOUTO1=0，待机，3个LED一起闪烁；001：延时2S或9S，循环选择;010:延时3S或10S，循环选择；……111：延时8S或15S，循环选择； Feedback_IN: V的下降沿开始，启动计时器，到对应的Feedback_IN1(或2)闭合(低电平），这段时间为T4；Feedback_IN是微动开关，信号会有抖动3—4ms，计时T4以第一个下降沿为计时信号，忽略以后的抖动； 输出： LED： LED1：1支路指示，投入操作过程闪烁，投入状态常亮； LED2：2支路指示，投入操作过程闪烁，投入状态常亮； LED3：报警，分为故障、过压、老化； Charge：继电器驱动信号， MOS_Dirver：SCR驱动信号 MOS_Keep：保持信号 * 说明： 1、多数程序都以ZERO_V_PULSE的下降沿为触发条件，如：T、T4、F、要求实时响应；输出信号的时序也是以V信号为基础； 2、上电、断电时要求单片机各个输出口线保持低电位，不能有脉冲输出； T/F判据 000：警示，3LED一起闪烁； 001-------111：第2n-1次，延时2------8S，第2n次，延时9—15S，n=1，2，3， Keep输出高，则feed为低， Keep输出低，则feed为高 否则故障报警并拉低MOS_Keep； 投入、切除工作时先1后2； Feedback IN：外部输入的按键开关信号，低电平有效， 电压E信号超过额定值10%，进行切除操作并报警， 工作状态判据 Feedback IN1(2) MOS-Keep1(2) E值超限判断 OUT0（3P拨码开关） UNOUTO UNOUTO1 初始化 监控程序 说明：T/F判据 以V脉冲下降沿触发计时，A下降沿停止计时，时间差为T，要求T的检测精度不低于100us；在进行T测量的同时， V的下降沿，检测F的瞬时值保存为F1，延时5ms，再次检测F的瞬时值并保存为F3，考虑干扰问题，需多次检测; 当满足5msT1ms 15msT11ms时，且满足∣F1-D∣ ∣⊿ F∣ 时，判断感性，执行投入操作。当满足 15msT20ms;5msT10ms,且满足（∣⊿ F∣—∣F1-D∣）/ ∣F3-D∣ 0.4843时，判定容性，执行切除操作 。否则返回监控程序。 T/F判据 5msT1ms 15msT11ms感性，投入操作 0T1ms 10T11ms 保持现有状态 15msT20ms 5msT10ms,容性，切除操作 （∣⊿ F∣—∣F1-D∣）/ ∣F3-D∣ 0.4843 Y ∣F1-D∣ ∣⊿ F∣ N 投入操作程序 切除操作程序 Y N 监控程序 简称：T/F判据 说明：T/F判据 以V脉冲下降沿触发计时，A下降沿停止计时，时间差为T，要求T的检测精度不低于100us；在进行T测量的同时， V的下降沿，检测F的瞬时值保存为F1，延时5ms，再次检测F的瞬时值并保存为F3，考虑干扰问题，需多次检测; 当满足5msT1ms 15msT11ms时，且满足∣F1-D∣ ∣⊿ F∣ 时，判断感性，执行投入操作。当满足 15msT20ms;5msT10ms,且满足（∣⊿ F∣—∣F1-D∣）/ ∣F3-D∣ 0.4843时，判定容性，执行切除操作 。否则返回监控程序。 延时子程序的延时时间确定 3P拨码开关：OUT0/ UNOUTO/UNOUTO1=000;001;010。。。。111 000：警示，3LED一起闪烁,循环检测拨码状态； 001-------111：执行后续程序，为延时子程序提供延时时间 第2n-1次，延时2------8S，第2n次，延时9—15S，例如：101：第3次操作则延时6S，第4次，则延时13S n=1， 2，3，以投入—切除两个动作循环作为计数单位，在程序中设置位寄存器A/B（A:投入延时，B:切除延时），A/B=0：延时2—8